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    电荷泵电路和包括电荷泵电路的图像传感器
    1.
    发明授权
    电荷泵电路和包括电荷泵电路的图像传感器 有权

    公开(公告)号：CN112543293B

    公开(公告)日：2025-02-21

    申请号：CN202011010087.2

    申请日：2020-09-23

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 徐珉雄

    IPC: H04N25/63 ,  H04N25/70 ,  H04N25/75 ,  H04N25/78 ,  H02M3/07 ,  H10F39/18

    Abstract: 公开电荷泵电路和包括电荷泵电路的图像传感器。所述电荷泵电路包括第一泵单元和第二泵单元。第一泵单元包括第一电容器和第一晶体管，并且通过使用时钟信号来生成第一节点电压。第二泵单元包括第二电容器、第二晶体管和第三晶体管，并且通过使用第一节点电压来生成负输出电压。时钟信号和第一节点电压各自在低电平电压与高电平电压之间进行切换。负输出电压的绝对值的幅度大于时钟信号的高电平电压的绝对值的幅度。第三晶体管的主体与第二晶体管的主体电隔离。

    图像感测设备
    2.
    发明授权
    图像感测设备 有权

    公开(公告)号：CN112040159B

    公开(公告)日：2025-02-11

    申请号：CN202010493188.3

    申请日：2020-06-03

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 郑弦溶

    IPC: H04N25/78 ,  H04N25/70 ,  H04N23/81 ,  H04N25/63

    Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括:光电元件，被配置为在第一端接收复位信号，并且在第二端连接到感测节点；复位晶体管，被配置为在第一电压复位浮置扩散节点；电容器，被布置在浮置扩散节点和感测节点之间；驱动晶体管，被配置为基于第二电压从由光电元件生成的电荷生成像素信号；和选择晶体管，被配置为向外部设备提供像素信号，其中，当选择晶体管导通时，复位晶体管在第一时间点截止，并且感测节点在比第一时间点晚的第二时间点被复位信号复位。

    图像传感器及其读出方法、成像系统、程序产品
    3.
    发明授权
    图像传感器及其读出方法、成像系统、程序产品 有权

    公开(公告)号：CN118695123B

    公开(公告)日：2025-01-03

    申请号：CN202411172047.6

    申请日：2024-08-26

    Applicant: 珠海燧景科技有限公司

    Inventor： 杨征 ,  左亮

    IPC: H04N25/70 ,  H04N25/63 ,  H04N25/671

    Abstract: 本申请公开了一种图像传感器及其读出方法、成像系统、程序产品，该方法包括：对所述像素阵列中的至少一个像素进行N次复位读出，获取每次复位读出对应的复位读出值，其中，N为大于或等于2的整数；从所述N次复位读出中的最后一次复位读出开始，经过预设时长后，对所述至少一个像素进行信号读出，获取信号读出值；基于所述信号读出值、所述预设时长、所述N次复位读出各自对应的复位读出值以及所述N次复位读出彼此之间的时间间隔，确定像素输出值，从而能够减小像素输出值中的FPN，以改善利用图像传感器成像时的成像效果。

    用于消除暗电流的影响的成像系统及相应的运行方法
    4.
    发明公开
    用于消除暗电流的影响的成像系统及相应的运行方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119156831A

    公开(公告)日：2024-12-17

    申请号：CN202380037214.3

    申请日：2023-02-13

    Applicant: 深圳帧观德芯科技有限公司

    Inventor： 曹培炎 ,  刘雨润

    IPC: H04N25/63

    Abstract: 本文公开一种方法，包括：对于i和j的每个组合(i＝1、……、M，并且j＝1、……、N)，利用电荷收集装置(i,1)收集在整个电荷收集时段(1,j)内来自同一辐射检测器的传感元件(i)的电荷(i,1,j)，其中M和N为正整数；对于i和j的每个组合，利用电荷收集装置(i,2)收集在整个电荷收集时段(2,j)内来自辐射检测器的传感元件(i)的电荷(i,2,j)；以及对于i的每个值，基于电荷(i,1,j)和电荷(i,2,j)，确定同一图像的像元(i)的最终值。电荷收集时段彼此离散，使得在它们之间不存在重叠。

    一种坏点矫正方法、装置、电子设备及存储介质
    6.
    发明授权
    一种坏点矫正方法、装置、电子设备及存储介质 有权

    公开(公告)号：CN117880649B

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202410103613.1

    申请日：2024-01-25

    Applicant: 成都市元视芯智能科技有限公司

    Inventor： 宋飞

    IPC: H04N25/63 ,  H04N25/68

    Abstract: 本发明公开了一种坏点矫正方法、装置、电子设备及存储介质，属于图像处理技术领域，通过第一像素点的像素值确定所述第一像素点中的坏点；然后根据第一像素点中的坏点，确定预设邻域内除所述坏点之外的每个第一像素点的像素值；然后根据所述预设邻域内除所述坏点之外的每个第一像素点的像素值，确定第二像素点的像素值，最后根据第二像素点的像素值，将所述坏点的像素值矫正为第二像素点的像素值以矫正坏点的像素值。使得本发明提供的坏点矫正方法对于任何场景下的遮光区坏点，均能够进行矫正，从而排除OB区域中异常像素点的影响，提高图像的质量。

    一种浮栅型图像传感器及其工作方法
    8.
    发明公开
    一种浮栅型图像传感器及其工作方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118825046A

    公开(公告)日：2024-10-22

    申请号：CN202410958920.8

    申请日：2024-07-17

    Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

    Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

    IPC: H01L27/146 ,  H04N25/63

    Abstract: 本发明公开了一种浮栅型图像传感器，在现有浮栅型图像传感器的基础上增加一个暗电流屏蔽栅，用于降低传感器的暗电流，并且所述暗电流屏蔽栅位于所述浮栅电容器和所述浮栅晶体管之间，其与所述浮栅电容器的间距d1小于位于其下方的、所述浅槽隔离结构与所述浮栅电容器向下的延伸线之间的间距d2。本发明可以有低暗电流状态工作模式和高满阱容量工作模式。本发明的浮栅型图像传感器，在衬底表面增设一暗电流屏蔽栅，在工作过程中在暗电流屏蔽栅上施加不同的电压，即可实现低暗电流状态工作模式或高满阱容量工作模式。

    具有存储电容器的成像像素
    10.
    发明公开
    具有存储电容器的成像像素 审中-实审

    公开(公告)号：CN118741338A

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202411034951.0

    申请日：2019-01-22

    Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

    Inventor： G·辛格 ,  A·欧贝罗伊 ,  B·巴拉尔 ,  S·古里恩达古恩塔

    IPC: H04N25/616 ,  H04N25/63 ,  H04N25/671

    Abstract: 本发明题为“具有存储电容器的成像像素”。本发明公开了一种图像传感器，所述图像传感器可包括成像像素阵列和行控制电路。每个成像像素可包括光电二极管、浮动扩散区、被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区的转移晶体管、耦接到所述浮动扩散区的双转换增益晶体管、以及耦接到所述双转换增益晶体管的存储电容器。所述电容器可具有接收经调制的控制信号的板，并且所述行控制电路可被配置为调制所述控制信号。为了减少图像伪影，所述经调制的控制信号可在所述像素的积分时间期间调制为低，并且可在所述像素的高转换增益读出时间期间调制为高。

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