公开(公告)号：CN119233109A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410369068.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： L·希莫尼

IPC: H04N25/65 ,  H04N25/618 ,  H04N25/67

Abstract: 本公开涉及用于图像感测的电子电路。一种电子电路包括图像采集单元，其中每个单元具有耦合到该单元的第一节点的光电检测器，以及放大晶体管，该放大晶体管具有连接到该第一节点的栅极，耦合到该单元的输出的传导节点，以及用于控制后栅电压的节点。放大晶体管被配置为使得其阈值电压根据后栅电压而变化。控制电路根据单元输出处存在的电压与参考电压的比较来调节施加到单元之一的放大晶体管的后栅电压的控制节点的电压。

公开(公告)号：CN118118808A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310827190.3

申请日：2023-07-06

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 崔俊赫

IPC: H04N25/67

Abstract: 本公开涉及图像处理装置和图像处理方法。一种图像处理装置可以包括：目标像素组确定器，用于基于从多个像素输出的像素值的平均值和方差值，在多个相位检测自动聚焦(PDAF)像素组中确定目标像素组，多个像素对应于基于多个PDAF像素组中的每一个的核组，其中平均值和方差值分别对应于多个像素中包括的滤色器的颜色；以及像素值校正器，用于将目标像素组的像素值转换成对应于预定颜色的第一像素值，并且基于与目标像素组相邻的多个相邻像素的像素值将第一像素值校正为对应于多个像素的排列图案的第二像素值。

公开(公告)号：CN114270807B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202080059281.1

申请日：2020-07-30

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 山田翔太 ,  石井基范 ,  春日繁孝 ,  竹本征人 ,  广濑裕

IPC: H04N25/67 ,  H04N25/771

Abstract: 摄像装置(20)具备将多个像素单元以矩阵状配置而成的固体摄像元件、以及对从各像素单元输出的检测信号进行处理的信号处理部(25)。在此，信号处理部(25)具备：偏差计算部(203)，计算从各像素单元输出的检测信号在像素单元间的偏差；以及校正运算部(205)，基于由偏差计算部(203)计算的偏差，对从各像素单元输出的检测信号进行校正。

公开(公告)号：CN107710414B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780002063.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田英之 ,  内田哲弥 ,  若野寿史 ,  田中裕介 ,  工藤义治 ,  野村宏利 ,  平野智之 ,  吉田慎一 ,  上田洋一 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N25/62 ,  H04N25/67 ,  H04N25/70 ,  H04N25/76 ,  H04N25/779 ,  H04N25/78

Abstract: 本公开涉及能够更可靠地分离像素的固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子设备。所述固态成像元件具有光电转换部、第一分离部和第二分离部。所述光电转换部对入射光进行光电转换，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从第一表面侧形成的第一沟槽中，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从与第一表面相对的第二表面侧形成的第二沟槽中。本公开能够适用于安装在相机等上并且拍摄被摄体的图像的固态成像元件。

公开(公告)号：CN119514297A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411232481.9

申请日：2024-09-04

Applicant: 扬州大学 ,  上海宇航系统工程研究所

Inventor： 薛玉雄 ,  许灏炀 ,  胡迪科 ,  王义元 ,  曹荣幸 ,  周炜翔 ,  刘涵勋 ,  刘汇龙

IPC: G06F30/25 ,  G06T17/00 ,  H04N25/63 ,  H04N25/67 ,  H04N25/76 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开了基于中子辐照的CMOS图像传感器性能退化模拟与预测方法，该方法包括：根据CMOS图像传感器的器件参数构建三维仿真模型；利用蒙特卡罗方法对三维仿真模型进行中子辐照仿真模拟；建立CMOS图像传感器的像素单元阵列，在像素单元阵列中引入缺陷来模拟中子辐照产生的长期性损伤；对像素单元阵列进行采样得到噪声分布，根据噪声阈值进行滤波，得到中子辐照后的CMOS图像传感器的噪点暗场成像图，并计算CMOS图像传感器的电性能参数。本发明具有操作便捷、计算效率高、计算结果准确、经济成本低的特点，为CIS器件在核辐射场景下的可靠性评估研究提供了技术基础，节省了大量的时间和经济成本。

公开(公告)号：CN118785000A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411017141.4

申请日：2024-07-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘冬生 ,  韩理想 ,  张艺晖 ,  李豪 ,  唐江 ,  高亮

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/76 ,  H04N25/67

Abstract: 本发明公开了一种用于图像传感器的高一致性偏置电路，包括：基准电流产生模块、全局电流偏置模块和电流输出模块；所述基准电流产生模块用于提供与绝对温度成正比的基准电流；所述全局电流偏置模块用于将所述基准电流分流为至少一个与绝对温度成正比的输入电流；所述电流输出模块用于将所述输入电流分流为至少一个与绝对温度成正比的输出偏置电流。本发明实施例通过将基准电流设置为与绝对温度成正比，从而使最终输出的输出偏置电流也与绝对温度成正比，缓解了随温度升高导致被偏置电路性能下降的问题，并通过基准电流产生模块、全局电流偏置模块和电流输出模块相互配合，使输出的输出偏置电流能够保持高一致性。

公开(公告)号：CN112567217B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201980049386.6

申请日：2019-05-23

Applicant: 弗兰克公司

Inventor： M·F·施密特 ,  K·R·约翰逊

IPC: G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/08 ,  G01J5/48 ,  G01J5/90 ,  G06T5/50 ,  G01N21/17 ,  G01N21/3504 ,  H04N5/33 ,  H04N23/23 ,  H04N25/21 ,  H04N25/67

Abstract: 热成像系统可以包括红外相机模块、用户接口、处理器和存储器。存储器可以包括指令，以使得处理器在检测到来自用户接口的致动时执行方法。该方法可以包括执行非均匀性校正，以降低或消除来自红外图像数据的固定模式噪声，该红外图像数据来自红外相机模块。该方法可以包括多次捕获红外图像，以及经由稳定化过程配准所捕获的图像。配准的非均匀性校正图像可以用于执行气体成像过程。处理器可以被配置为将红外图像数据的多个区域中的每一个中的表观背景温度与目标气体温度进行比较。处理器可以确定这样的区域是否缺乏足够的对比度来可靠地观察目标气体。

公开(公告)号：CN115665570B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202211370484.X

申请日：2019-03-20

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 朝仓伦丰

IPC: H04N25/50 ,  H04N25/51 ,  H04N25/65 ,  H04N25/67 ,  H04N25/633 ,  H04N25/75 ,  H04N25/78 ,  H03M1/56 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明涉及摄像装置。本公开涉及一种通过比较器和计数器进行AD转换的数字信号处理电路，其中提高了AD转换的速度。当输入信号的电平超过预定阈值时，衰减部使所述输入信号衰减，并输出衰减的输入信号作为输出信号。所述比较器将所述输出信号与随时间的流逝变化的预定的参照信号进行比较，并输出比较结果。所述计数器在直到所述比较结果反相为止的时间内对计数值进行计数，并输出表示所述计数值的数字信号。数字信号处理部对所述数字信号进行乘法处理。

公开(公告)号：CN109801932B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201811358377.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  金永灿 ,  金升埴

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70 ,  H04N25/67

Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。

公开(公告)号：CN117641142A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311083847.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： A·苏思 ,  T·戈伊茨

IPC: H04N25/63 ,  H04N25/67 ,  H04N25/616

Abstract: 本文中公开用脉冲照明操作的图像传感器中的固定模式噪声FPN降低技术。在一个实施例中，一种方法包含：在帧的第一子曝光周期期间，(a)操作像素的第一抽头以捕获对应于第一浮动扩散部处的第一电荷的第一信号，所述第一电荷对应于入射于光电传感器上的第一光，及(b)操作所述像素的第二抽头以捕获对应于第二浮动扩散部处的FPN的第一寄生信号。所述方法进一步包含：在所述帧的第二子曝光周期期间，(a)操作所述第二抽头以捕获对应于所述第二浮动扩散部处的第二电荷的第二信号，所述第二电荷对应于入射于所述光电传感器上的第二光，及(b)操作所述第一抽头以捕获对应于所述第一浮动扩散部处的FPN的第二寄生信号。