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公开(公告)号：CN114270807B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080059281.1
申请日：2020-07-30
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N25/67 , H04N25/771
Abstract: 摄像装置(20)具备将多个像素单元以矩阵状配置而成的固体摄像元件、以及对从各像素单元输出的检测信号进行处理的信号处理部(25)。在此，信号处理部(25)具备：偏差计算部(203)，计算从各像素单元输出的检测信号在像素单元间的偏差；以及校正运算部(205)，基于由偏差计算部(203)计算的偏差，对从各像素单元输出的检测信号进行校正。
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公开(公告)号：CN113169278A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006672.7
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 有关本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，包括第1电极、第2电极、将入射光变换为信号电荷的光电变换层及阻挡层；以及电荷积蓄区域，与第2电极连接，用于积蓄信号电荷。对于极性与信号电荷相反的电荷从上述第2电极向光电变换层的移动的、阻挡层的能量势垒是1.8eV以上；对于上述电荷从光电变换层向第2电极的移动的、阻挡层的能量势垒是1.6eV以下。
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公开(公告)号：CN112640432A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980055427.2
申请日：2019-08-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 光电传感器具备：APD(1001)，具有包括光电转换部的倍增区域(1002)、以及与倍增区域(1002)并联连接的第1电容器(1003)；以及第1晶体管(1201)，连接在APD(1001)与第1电源(电压VC)之间，第1晶体管(1201)，在偏置电压设定期间，通过对APD(1001)与第1电源进行连接，从而将比击穿电压VBD大的电源电压(VC‑VA)，以反向偏置的方式施加到APD(1001)的阳极与阴极之间，在曝光期间，通过使APD(1001)与第1电源的连接断开，从而使由雪崩倍增现象产生的电荷蓄积到第1电容器(1003)，据此，使雪崩倍增现象停止。
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公开(公告)号：CN108369200B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680072136.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01N27/00
Abstract: 气体传感器(100)，具备：单元阵列(101)，具有被设置为矩阵状的多个单元(10)；读出电路(102)，读出来自多个单元(10)的信号；以及信号处理部(103)，对被读出的所述信号进行处理，多个单元(10)的每一个单元具有：气体分子检测部(101a)，在邻接的单元(10)之间，该气体分子检测部(101a)电分离；以及放大器电路(101b)，与所述气体分子检测部(101a)电连接。
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公开(公告)号：CN103946982B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201280056111.3
申请日：2012-11-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。
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公开(公告)号：CN104380467A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032847.1
申请日：2013-03-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/307
Abstract: 本申请的固体摄像装置具备：电荷积蓄区域(104)，对由光电转换膜(114)光电转换的信号电荷进行积蓄；放大晶体管(108a)，将对应的像素(11)的电荷积蓄区域(104)中积蓄的信号电荷进行放大；接触插头(107)，由与电荷积蓄区域(104)电连接的半导体材料构成；以及布线(107a)，在接触插头(107)的上方，由半导体材料构成，接触插头(107)与电荷积蓄区域(104)电连接，接触插头(107)与放大晶体管(108a)的栅极电极经由布线(107a)而电连接。
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公开(公告)号：CN113646663B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080023732.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的问题是提供距离测量设备、距离测量系统、距离测量方法和程序，它们均配置或设计为提高到目标的距离的测量精度。距离测量设备(10)包括控制单元(11)和测量单元(12)。控制单元(11)控制光电探测器单元(3)。光电探测器单元(3)包括光电转换器元件(D10)和输出单元(32)。光电转换器元件(D10)在接收到作为从发光单元(2)发射的测量光的一部分从目标反射的光时产生电荷。输出单元(32)输出表示由光电转换器元件(D10)产生的电荷的量的电信号。测量单元(12)根据电信号在可测量范围内计算到目标的距离。控制单元(11)在构成可测量范围(FR)的多个区间(R1‑R7)中的每一个区间中，设置光电转换器元件(D10)产生的电荷的量相对于光电转换器元件(D10)接收到的光的量的比率。
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公开(公告)号：CN114342355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059611.7
申请日：2020-07-30
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 摄像装置(20)具备将多个像素单元(100)以矩阵状配置而成的固体摄像元件、以及对固体摄像元件进行控制的控制部。像素单元(100)具备APD(雪崩光电二极管)(101)、积蓄电荷的浮动扩散部(110)、转送晶体管(103)、以及用于将浮动扩散部(110)中积蓄的电荷复位的FD复位晶体管(104)。控制部对FD复位晶体管(104)进行控制，使从APD(101)的阴极经由转送晶体管(103)积蓄至浮动扩散部(110)的电荷之中的超过规定的电荷量的电荷排出。
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公开(公告)号：CN114270807A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059281.1
申请日：2020-07-30
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 摄像装置(20)具备将多个像素单元以矩阵状配置而成的固体摄像元件、以及对从各像素单元输出的检测信号进行处理的信号处理部(25)。在此，信号处理部(25)具备：偏差计算部(203)，计算从各像素单元输出的检测信号在像素单元间的偏差；以及校正运算部(205)，基于由偏差计算部(203)计算的偏差，对从各像素单元输出的检测信号进行校正。
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