公开(公告)号：CN114981970A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009299.5

申请日：2021-01-18

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107

Abstract: 光电传感器(100)具备多个APD区域(10)以及形成在相互相邻的APD区域(10)之间的分离区域(20)。第1半导体基板(101)具有第1主面(S1)和第2主面(S2)。APD区域(10)的APD(1)由与第1主面(S1)相接的第1导电型的第1半导体层(201)以及相对于第1半导体层(201)配置在第2主面(S2)侧的第2导电型的第2半导体层(202)构成。分离区域(20)具有第3半导体层(203)和设置于比第3半导体层(203)靠第2主面(S2)侧的位置的沟槽(207)。沟槽的一端(207a)与第2主面(S2)相接，沟槽的另一端(207b)不与第1主面(S1)相接，沟槽的另一端(207b)与第1主面(S1)之间的至少一部分耗尽。

公开(公告)号：CN114631188A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080075359.9

申请日：2020-08-07

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登 ,  杉浦裕树

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107 ,  H04N5/369 ,  G01S17/10 ,  G01S17/894

Abstract: 光电传感器(100)包括多个雪崩光电二极管(APD)(10)、第一隔离区域(21)以及第二隔离区域(22)，多个雪崩光电二极管(APD)(10)设置于第一主面(S1)，第一隔离区域(21)设置于第一主面，并将多个APD(10)彼此之间分别沿第一方向电隔离，第二隔离区域(22)设置于第一主面，并将多个APD彼此之间分别沿第二方向电隔离，所述第二方向与第一隔离区域(21)将多个APD彼此之间分别电隔离的方向不同。第一隔离区域和所述第二隔离区域耗尽。第一隔离区域和第二隔离区域中的至少一者在第一隔离区域和第二隔离区域相连接的第一连接部(31)终止。

公开(公告)号：CN113632244A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080023840.3

申请日：2020-03-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 杉浦裕树 ,  井上晓登

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

Abstract: 光检测器(1)是具备以阵列状配置有多个像素(11)的像素阵列(10)的光检测器(1)，多个像素(11)分别包括：第1导电型的第1半导体层(12)；第1导电型的第2半导体层(13)，位于第1半导体层(12)的上方，杂质浓度比第1半导体层(12)低；以及第2导电型的第1半导体区域(14)，形成于第2半导体层(13)，并与第1半导体层(12)接合，第2导电型与第1导电型不同；第1半导体层(12)及第1半导体区域(14)形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域(15)；像素阵列(10)包括形成于第2半导体层(13)的第1导电型的第1分离部(16)、以及形成于第1半导体层(12)的第1导电型的第2分离部(17)。

公开(公告)号：CN112640432A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980055427.2

申请日：2019-08-26

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登 ,  广濑裕 ,  山平征二

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 光电传感器具备：APD(1001)，具有包括光电转换部的倍增区域(1002)、以及与倍增区域(1002)并联连接的第1电容器(1003)；以及第1晶体管(1201)，连接在APD(1001)与第1电源(电压VC)之间，第1晶体管(1201)，在偏置电压设定期间，通过对APD(1001)与第1电源进行连接，从而将比击穿电压VBD大的电源电压(VC‑VA)，以反向偏置的方式施加到APD(1001)的阳极与阴极之间，在曝光期间，通过使APD(1001)与第1电源的连接断开，从而使由雪崩倍增现象产生的电荷蓄积到第1电容器(1003)，据此，使雪崩倍增现象停止。

公开(公告)号：CN111937151B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201980021367.2

申请日：2019-03-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登 ,  杉浦裕树 ,  广濑裕

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107

Abstract: 光检测器(100)，具备：半导体基板(600)，具有第一主面(S1)以及与第一主面(S1)相反的一侧的第二主面(S3)；具有第一导电型的第一半导体层(101)，被形成在半导体基板(600)的第一主面(S1)侧；具有第二导电型的第二半导体层(102)，被形成在半导体基板(600)的第一半导体层(101)以及第二主面(S3)之间，第二导电型是与第一导电型不同的导电型；倍增区域(301)，在第一半导体层(101)以及第二半导体层(102)，对在半导体基板(600)由光电转换发生的电荷进行雪崩倍增；电路区域，在与第一主面(S1)平行的方向上，与第一半导体层(101)排列形成；一个以上的分离晶体管(201)，被形成在电路区域；以及分离区域(103)，被形成在第一半导体层(101)以及电路区域之间。

公开(公告)号：CN113614931B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202080023403.1

申请日：2020-03-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登

IPC: H01L31/107 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

Abstract: 光检测器(100)具备对于入射光具有灵敏度的第1APD(10)以及不论入射光如何都流过一定的电流的第2APD(20)。第1APD(10)的一方的端子与第2APD(20)的一方的端子电连接，第1APD(10)的另一方的端子及第2APD(20)的另一方的端子连接于相互不同的电源，第1APD(10)的一方的端子及第2APD(20)的一方的端子都是阳极或都是阴极。

公开(公告)号：CN113632244B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202080023840.3

申请日：2020-03-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 杉浦裕树 ,  井上晓登

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

Abstract: 光检测器(1)是具备以阵列状配置有多个像素(11)的像素阵列(10)的光检测器(1)，多个像素(11)分别包括：第1导电型的第1半导体层(12)；第1导电型的第2半导体层(13)，位于第1半导体层(12)的上方，杂质浓度比第1半导体层(12)低；以及第2导电型的第1半导体区域(14)，形成于第2半导体层(13)，并与第1半导体层(12)接合，第2导电型与第1导电型不同；第1半导体层(12)及第1半导体区域(14)形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域(15)；像素阵列(10)包括形成于第2半导体层(13)的第1导电型的第1分离部(16)、以及形成于第1半导体层(12)的第1导电型的第2分离部(17)。

公开(公告)号：CN117747694A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311773819.7

申请日：2020-03-10

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 可部达也 ,  新井秀幸 ,  相川恒 ,  杉浦裕树 ,  井上晓登 ,  森三佳 ,  中西贤太郎 ,  坂田祐辅

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L27/146 ,  H04N25/766 ,  H04N25/75

Abstract: 本发明提供一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，所述受光部包括：N型的第一区域；P型的第二半导体层；和P型的第一半导体层，所述第一区域、所述第二半导体层、所述第一半导体层按照所述第一区域、所述第二半导体层、所述第一半导体层的顺序层叠，所述第一半导体层中的P型的杂质浓度的最大值比所述第二半导体层中的P型的杂质浓度的最大值高，所述外围部包括：P型的第一阱；N型的第三阱；和所述第一半导体层，所述第三阱在从截面观察时包围所述第一阱的侧部和底部的整体。

公开(公告)号：CN108474849B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201780007142.2

申请日：2017-02-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 井上晓登 ,  竹本征人 ,  香山信三 ,  石井基范 ,  斋藤繁

IPC: G01S17/10 ,  G01S17/14 ,  G01C3/06 ,  G01S7/487

Abstract: 距离测量装置(10)具备控制部(103)以及距离算出部(105)。控制部(103)在第1期间中，设定与第一测量距离范围对应的时间范围即第一测量时间范围，在第一测量时间范围，使发光部(101)发出射出光，使受光部(102)成为曝光状态，进而在第二期间中，设定与第二测量距离范围对应的时间范围即第二测量时间范围，在第二测量时间范围，使发光部(101)发出射出光，使受光部(102)成为曝光状态。在此，在第一期间和第二期间中，至少有一个测量条件是不同的，距离算出部(105)，根据在第一期间或第二期间的至少一方的期间中，发光部(101)发出射出光的时刻到受光部(102)接受反射光的时刻为止的时间，算出距离测量装置(10)到测量对象物(60)的距离。

公开(公告)号：CN111902949A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021327.8

申请日：2019-03-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 杉浦裕树 ,  井上晓登

IPC: H01L31/107

Abstract: 固体摄像元件(100)具备：P型的半导体基板(10)；N型的第一半导体层(11)，位于半导体基板(10)的上方，在第一区域(A1)中与半导体基板(10)接合；以及N型的第二半导体层(12)，在比第一区域(A1)靠外侧的第二区域(A2)中位于半导体基板(10)及第一半导体层(11)之间，其杂质浓度比第一半导体层(11)的杂质浓度低。半导体基板(10)及第一半导体层(11)形成APD1；在半导体基板(10)的厚度方向上，第二半导体层(12)达到比半导体基板(10)及第一半导体层(11)的边界部(14)靠下方的位置。