公开(公告)号：CN106537614B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201580040471.8

申请日：2015-07-09

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  薄田学 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/107 ,  H02S40/44

Abstract: 对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P‑型半导体层(11)；在P‑型半导体层(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区域(12)；在P‑型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P‑型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P‑型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。

公开(公告)号：CN107949913A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051341.9

申请日：2016-09-06

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  薄田学 ,  森三佳 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/00 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/00 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 固体摄像元件具备P型的基板(11)和布线层(17)，基板(11)具备：N型半导体区域(12)，被配置于第1主面(S1)，从第1主面(S1)向第2主面(S2)的方向延伸；N型半导体区域(13)，被配置于第2主面(S2)与N型半导体区域(12)之间并与N型半导体区域(12)连接；P型半导体区域(14)，被配置于第2主面(S2)与像素(1)以及像素(2)的N型半导体区域(13)之间；N型阱(15)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(12)与像素(2)的N型半导体区域(12)之间且第1主面(S1)；像素电路，被配置于N型阱(15)内；和像素间分离区域(32)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(13)与像素(2)的N型半导体区域(13)之间。N型半导体区域(13)和P型半导体区域(14)形成雪崩倍增区域(AM)。

公开(公告)号：CN107833899A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711055697.2

申请日：2013-03-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 森三佳 ,  大槻浩久 ,  大森爱幸 ,  佐藤好弘 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/3745

Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素，所述多个像素的每一个具备：第一电压的半导体衬底；金属电极；光电转换层，被形成在所述金属电极上，并将光转换为电信号；透明电极，被形成在所述光电转换层上；电荷积蓄区域，形成在上述半导体衬底中，与所述金属电极电连接，并积蓄来自所述光电转换层的电荷；放大晶体管，输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压；以及复位晶体管，对所述电荷积蓄区域的电位进行复位，在所述复位晶体管导通时，所述复位晶体管的栅极被施加第二电压，在所述复位晶体管断开时，所述复位晶体管的栅极被施加第三电压，所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。

公开(公告)号：CN103329513B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201280006318.X

申请日：2012-02-01

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 石井基范 ,  春日繁孝 ,  森三佳

IPC: H04N5/363 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/376 ,  H04N101/00

CPC classification number: H04N5/363 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明的固体摄像装置具备：多个像素（101），排列为2维状；多个像素共有电路（106），由相邻的一定数量的像素共有，按每该一定数量的像素配置1个，排列为矩阵状；列共有电路（120），按多个像素共有电路（106）的每列配置1个，由属于同一列的像素共有电路（106）共有；列信号线（113），按像素共有电路（106）的每列配置；以及复位信号线（114），按像素共有电路（106）的每列配置；多个像素各自的电信号由像素共有电路（106）检测，并经由列信号线（113）读出至列共有电路（120），由像素共有电路（106）检测到的电信号通过包括列信号线（113）、列共有电路（120）和复位信号线（114）的反馈路径而被复位。

公开(公告)号：CN103493202B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN113544851A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019036.8

申请日：2020-03-03

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田丸雅规 ,  春日繁孝 ,  坂田祐辅 ,  森三佳 ,  香山信三

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  G01S7/4863

Abstract: 本公开解决的问题是提供一种适于实现高灵敏度和高集成度的固态成像设备。设置在半导体衬底(100)上并以二维阵列布置的多个像素单元(10)中的至少一个像素单元(10)包括光接收部分(2)、像素电路(30)和第二晶体管(4)。光接收部分(2)接收入射光以产生电荷。像素电路(30)包括沿第一方向并排布置的多个第一晶体管(3)和电荷保持部分(5)。电荷保持部分(5)保持由光接收部分(2)产生的电荷。像素电路(30)输出根据由光接收部分(2)产生的电荷的光接收信号。第二晶体管(4)将电荷保持部分(5)连接到存储电荷的存储器部分(6)。在沿半导体衬底(100)的厚度方向观察的平面图中，像素单元(10)被配置为使得第二晶体管(4)在第二方向上与多个第一晶体管(3)分开，该第二方向与第一方向正交。

公开(公告)号：CN103946982B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN104412387A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380032967.1

申请日：2013-03-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 森三佳 ,  大槻浩久 ,  大森爱幸 ,  佐藤好弘 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/3745

Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素(10)，像素(10)具备：金属电极(11)；被形成在金属电极(11)上且将光转换成电信号的光电转换层(13)；被形成在光电转换层(13)上的透明电极(12)；与金属电极(11)电连接，且对来自光电转换层(13)的电荷进行积蓄的电荷积蓄区域(14)；输出与电荷积蓄区域(14)的电荷量相对应的信号电压的放大晶体管(15)；以及对电荷积蓄区域(14)的电位进行复位的复位晶体管(16)，复位晶体管(16)的栅极氧化膜的膜厚比放大晶体管(15)的栅极氧化膜(25)的膜厚厚。

公开(公告)号：CN104380467A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380032847.1

申请日：2013-03-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 森三佳 ,  宫川良平 ,  大森爱幸 ,  佐藤好弘 ,  广濑裕 ,  坂田祐辅 ,  冲野彻

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/307

Abstract: 本申请的固体摄像装置具备：电荷积蓄区域(104)，对由光电转换膜(114)光电转换的信号电荷进行积蓄；放大晶体管(108a)，将对应的像素(11)的电荷积蓄区域(104)中积蓄的信号电荷进行放大；接触插头(107)，由与电荷积蓄区域(104)电连接的半导体材料构成；以及布线(107a)，在接触插头(107)的上方，由半导体材料构成，接触插头(107)与电荷积蓄区域(104)电连接，接触插头(107)与放大晶体管(108a)的栅极电极经由布线(107a)而电连接。

公开(公告)号：CN113614932B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202080023598.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 可部达也 ,  新井秀幸 ,  相川恒 ,  杉浦裕树 ,  井上晓登 ,  森三佳 ,  中西贤太郎 ,  坂田祐辅

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  H04N25/75 ,  H04N25/766

Abstract: 在光检测器(1000)，具有APD(111)的受光部基板(10)的第一主面(S1)上，光检测器(1000)还包括在半导体基板(10)的第二主面(S2)上设置的背面电极(300)和设置在受光部(100)与外围电路部(200)之间的p型第一分离部(13)。APD(111)在第一主面(S1)侧具有n型区域(20)，并且具有在Z方向与n型区域(20)相接触的p外延层(12)。外围电路部(200)具有设置在p阱(14)的n(100)与外围电路部(200)分别设置在p型半导体