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公开(公告)号：CN107195645B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201710075462.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/08
Abstract: 提供一种抑制了暗电流的摄像装置。本发明的摄像装置具备半导体层和像素单元。像素单元具备：第1导电型的杂质区域，位于半导体层内；光电变换部，位于半导体层的上方，电连接于杂质区域；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极电极，第1源极及第1漏极的一方与杂质区域电连接；第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2导电型的第2栅极电极，包含杂质区域作为第2源极及第2漏极的一方，第2栅极电极与杂质区域电连接；第3晶体管，具有第3源极、第3漏极及第3栅极电极，第3栅极电极与光电变换部电连接。
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公开(公告)号：CN107833899B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201711055697.2
申请日：2013-03-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素，所述多个像素的每一个具备：第一电压的半导体衬底；金属电极；光电转换层，被形成在所述金属电极上，并将光转换为电信号；透明电极，被形成在所述光电转换层上；电荷积蓄区域，形成在上述半导体衬底中，与所述金属电极电连接，并积蓄来自所述光电转换层的电荷；放大晶体管，输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压；以及复位晶体管，对所述电荷积蓄区域的电位进行复位，在所述复位晶体管导通时，所述复位晶体管的栅极被施加第二电压，在所述复位晶体管断开时，所述复位晶体管的栅极被施加第三电压，所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。
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公开(公告)号：CN111048536A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910788014.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的一方式的摄像装置具备：包含第1导电型的第1扩散区域以及所述第1导电型的第2扩散区域的半导体基板，与所述第1扩散区域相接、并包含半导体的第1插塞，与所述第2扩散区域相接、并包含半导体的第2插塞，以及与所述第1插塞电连接的光电转换部。在从与所述半导体基板垂直的方向观察时，所述第2插塞的面积大于所述第1插塞的面积。
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公开(公告)号：CN109326618A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810768586.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14806 , H04N5/3575 , H04N5/363 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14812
Abstract: 提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN104412387B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201380032967.1
申请日：2013-03-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H04N5/3745
Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素(10)，像素(10)具备：金属电极(11)；被形成在金属电极(11)上且将光转换成电信号的光电转换层(13)；被形成在光电转换层(13)上的透明电极(12)；与金属电极(11)电连接，且对来自光电转换层(13)的电荷进行积蓄的电荷积蓄区域(14)；输出与电荷积蓄区域(14)的电荷量相对应的信号电压的放大晶体管(15)；以及对电荷积蓄区域(14)的电位进行复位的复位晶体管(16)，复位晶体管(16)的栅极氧化膜的膜厚比放大晶体管(15)的栅极氧化膜(25)的膜厚厚。
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公开(公告)号：CN104380467B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380032847.1
申请日：2013-03-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/307
Abstract: 本申请的固体摄像装置具备：电荷积蓄区域(104)，对由光电转换膜(114)光电转换的信号电荷进行积蓄；放大晶体管(108a)，将对应的像素(11)的电荷积蓄区域(104)中积蓄的信号电荷进行放大；接触插头(107)，由与电荷积蓄区域(104)电连接的半导体材料构成；以及布线(107a)，在接触插头(107)的上方，由半导体材料构成，接触插头(107)与电荷积蓄区域(104)电连接，接触插头(107)与放大晶体管(108a)的栅极电极经由布线(107a)而电连接。
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公开(公告)号：CN107124565A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201611006443.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/361 , H01L27/146
Abstract: 本发明目的在于减小漏电流而抑制画质的劣化。本申请的摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层。当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。
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公开(公告)号：CN110556391B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201910353663.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明用于减小成为噪声的原因的漏电流。本发明的拍摄装置具备：对光进行光电变换而生成信号电荷的光电变换部；表面含有第一半导体层的半导体基板；作为所述第一半导体层内的第一导电型的杂质区域并蓄积所述信号电荷的电荷蓄积区域；包含所述第一半导体层内的第一导电型的第一杂质区域作为源极或漏极的第一晶体管；位于所述电荷蓄积区域与所述第一晶体管之间的阻断结构。所述阻断结构包含：第二杂质区域，是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，位于所述电荷蓄积区域与所述第一杂质区域之间；第一电极，位于所述第一半导体层的上方，在平面视图中与所述第二杂质区域的至少一部分重叠，在所述电荷蓄积区域蓄积所述信号电荷的期间被施加恒定的第一电压。
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公开(公告)号：CN109920808B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201811256952.4
申请日：2018-10-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像装置具备包括多个像素的像素区域和信号线。像素分别包括半导体基板、光电变换部、第1晶体管、布线层和电容元件。光电变换部包括第1电极、第2电极、以及第1第2电极之间的光电变换层。第1晶体管包括第1及第2杂质区域。布线层在半导体基板与第2电极之间，并包含信号线的一部分。电容元件在半导体基板的法线方向上配置在布线层与半导体基板之间，并且包括第3电极、第4电极、电介体层。第1及第2杂质区域的一方作为第1晶体管的源极区域、另一方作为漏极区域发挥功能。第1杂质区域电连接至第2电极；第4电极电连接至第1及第2杂质区域的某一方；沿半导体基板的法线方向观察时第3及第4电极的至少一方将第1杂质区域覆盖。
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公开(公告)号：CN109326618B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201810768586.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。
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