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公开(公告)号：CN107195645B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201710075462.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/08
Abstract: 提供一种抑制了暗电流的摄像装置。本发明的摄像装置具备半导体层和像素单元。像素单元具备：第1导电型的杂质区域，位于半导体层内；光电变换部，位于半导体层的上方，电连接于杂质区域；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极电极，第1源极及第1漏极的一方与杂质区域电连接；第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2导电型的第2栅极电极，包含杂质区域作为第2源极及第2漏极的一方，第2栅极电极与杂质区域电连接；第3晶体管，具有第3源极、第3漏极及第3栅极电极，第3栅极电极与光电变换部电连接。
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公开(公告)号：CN109326618A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810768586.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14806 , H04N5/3575 , H04N5/363 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14812
Abstract: 提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN108807434A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810244783.6
申请日：2018-03-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , G02B7/04 , G02B13/16 , H01L27/14609 , H01L27/14689 , H04N5/363 , H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378 , H01L27/14605 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14812 , H04N5/335
Abstract: 提供一种能够对光电变换部施加高电压并且能够得到高密度化高特性的摄像装置。具备像素和第1电压供给电路；像素包括：光电变换部，包括像素电极、对置电极、和位于两者之间将光变换为电荷的光电变换膜；放大晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极，第1栅极连接于像素电极；复位晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极，第2源极及第2漏极的一方被连接到像素电极；反馈晶体管，具有第3源极及第3漏极，第3源极及第3漏极的一方被连接到第2源极及第2漏极的另一方；第1电压供给电路向对置电极供给第1电压；如果在第2源极及第2漏极的一方与第2栅极之间供给限幅电压以上的电压则复位晶体管关闭；限幅电压比第1电压小。
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公开(公告)号：CN107124565A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201611006443.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/361 , H01L27/146
Abstract: 本发明目的在于减小漏电流而抑制画质的劣化。本申请的摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层。当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。
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公开(公告)号：CN118899325A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411313923.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及摄像装置。摄像装置具备：光电转换部，对光进行光电转换而生成信号电荷；第一晶体管；以及半导体基板，包含含有第一导电型的杂质的第一半导体层，所述半导体基板包含：电荷蓄积区域，是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，蓄积所述信号电荷；第一杂质区域，是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，作为所述第一晶体管的源极和漏极中的一个发挥功能；以及阻断结构，位于所述电荷蓄积区域与所述第一晶体管之间，所述阻断结构包含第一导电型的第二杂质区域，所述第二杂质区域在所述第一半导体层的表面上位于所述第一杂质区域与所述电荷蓄积区域之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556390B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201910327467.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 降低成为噪声原因的漏电流的摄像装置。具备：光电转换部，对光进行光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包含含有第一导电型的杂质的第一半导体层；电荷蓄积区域，是第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，蓄积信号电荷；第一晶体管，包含第一半导体层内的第二导电型的第一杂质区域作为源极和漏极中的一个；以及阻断结构，位于电荷蓄积区域与第一晶体管之间，阻断结构具备：第一半导体层内的第一导电型的第二杂质区域；第一半导体层内的第二导电型的第三杂质区域；以及第一半导体层内的第一导电型的第四杂质区域，在第一半导体层的表面，沿着从第一杂质区域朝向电荷蓄积区域的第一方向，依次配置有第二杂质区域、第三杂质区域以及第四杂质区域。
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公开(公告)号：CN108807434B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201810244783.6
申请日：2018-03-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/00
Abstract: 提供一种能够对光电变换部施加高电压并且能够得到高密度化高特性的摄像装置。具备像素和第1电压供给电路；像素包括：光电变换部，包括像素电极、对置电极、和位于两者之间将光变换为电荷的光电变换膜；放大晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极，第1栅极连接于像素电极；复位晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极，第2源极及第2漏极的一方被连接到像素电极；反馈晶体管，具有第3源极及第3漏极，第3源极及第3漏极的一方被连接到第2源极及第2漏极的另一方；第1电压供给电路向对置电极供给第1电压；如果在第2源极及第2漏极的一方与第2栅极之间供给限幅电压以上的电压则复位晶体管关闭；限幅电压比第1电压小。
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公开(公告)号：CN109300924B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810584008.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 目的是提供一种能抑制暗电流的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板，包括含有第1导电型的杂质的第1扩散区域和含有第1导电型的杂质的第2扩散区域；和多个像素；上述多个像素分别包括：光电变换部，将光变换为电荷；和第1晶体管，包括源极、漏极及栅极电极，包括蓄积上述电荷的至少一部分的上述第1扩散区域作为上述源极及上述漏极的一方，包括上述第2扩散区域作为上述源极及上述漏极的另一方；上述第1扩散区域中的第1导电型的杂质的浓度比上述第2扩散区域中的第1导电型的杂质的浓度小；当从与上述半导体基板垂直的方向观察时，上述第1扩散区域的面积比上述第2扩散区域的面积小。
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公开(公告)号：CN116762172A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180087265.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成电荷；电荷积蓄部，积蓄所述电荷；以及金属‑氧化物‑半导体电容，包括第1端子、第2端子、栅极、氧化物层以及至少1个半导体区域。在曝光中，所述第1端子与所述电荷积蓄部电连接，所述栅极与所述第1端子电连接，所述至少1个半导体区域与所述第2端子电连接，所述氧化物层位于所述栅极与所述至少1个半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN116547813A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180071448.0
申请日：2021-11-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像装置具备：第1光电转换部，将光转换为电荷；第1电荷积蓄部，积蓄所述电荷；第1电容器；输出电路，与所述第1电容器电连接；以及第1插入晶体管，具有栅极电极、源极及漏极。所述第1电荷积蓄部与所述栅极电极、以及所述源极及所述漏极中的一方电连接。通过所述第1插入晶体管成为导通，所述第1电荷积蓄部与所述第1电容器被电连接。
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