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公开(公告)号：CN110164850B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201811579957.0
申请日：2018-12-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相向；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极接触。在所述第一电极中的与所述第一电极和所述电介质层的界面接触的第一部分、以及所述电介质层中的与所述界面接触的第二部分含有硅。沿着所述第一部分和所述第二部分的厚度方向的所述硅的浓度分布包含横切所述界面的凸部。
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公开(公告)号：CN113658970B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110890091.0
申请日：2016-02-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/65 , H04N23/667 , H10K39/32
Abstract: 本发明的摄像装置，具备：半导体基板，设有电路元件；光电转换元件，被半导体基板支承，对入射光进行光电转换，具有形成在受光面侧的第1电极、遮光性的第2电极以及配置在第1电极与第2电极之间的光电转换膜；多层配线构造，设在半导体基板与光电转换元件的第2电极之间，包括将第2电极与设于半导体基板的电路元件电连接的连接部；以及电容元件，形成在多层配线构造内。电容元件具有下部电极、上部电极以及配置在上部电极与下部电极之间的电介质膜。下部电极及上部电极的至少一方具有连接部所贯通的开口或切缝，开口或切缝从半导体基板的法线方向来看时与第2电极重叠。
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公开(公告)号：CN109494302B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810800181.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H10N97/00 , H01L27/146
Abstract: 本申请的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与上述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于上述第一电极与上述第二电极之间，并且与上述第一电极和上述第二电极分别接触。上述电介质层的膜厚为10nm以上。上述第一电极含有碳。上述电介质层与上述第一电极接触的界面处的碳的元素比为30原子％以下。
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公开(公告)号：CN111656511A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087504.8
申请日：2018-12-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本公开的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。
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公开(公告)号：CN110164850A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811579957.0
申请日：2018-12-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相向；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极接触。在所述第一电极中的与所述第一电极和所述电介质层的界面接触的第一部分、以及所述电介质层中的与所述界面接触的第二部分含有硅。沿着所述第一部分和所述第二部分的厚度方向的所述硅的浓度分布包含横切所述界面的凸部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789558A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411878705.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开一实施方式的图像传感器，具备：多个像素电极，在第1方向上排列配置；控制电极；光电转换膜，配置在上述多个像素电极上；透明电极，配置在上述光电转换膜上；绝缘层，配置在上述透明电极的上表面的至少一部分上；以及连接层，将上述控制电极和上述透明电极进行电连接。上述连接层与上述透明电极的至少1个侧面接触，上述绝缘层的侧面、上述透明电极的上述至少1个侧面以及上述光电转换膜的侧面相互对齐，上述连接层的上述第1方向上的宽度大于上述像素电极的上述第1方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN111971800B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980025746.9
申请日：2019-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开一实施方式的图像传感器，具备：多个像素电极；控制电极；光电转换膜，配置在上述多个像素电极上；透明电极，配置在上述光电转换膜上；绝缘层，配置在上述透明电极的上表面的至少一部分上；以及连接层，将上述控制电极和上述透明电极进行电连接。上述连接层与上述透明电极的至少1个侧面接触，在与上述透明电极的上述上表面垂直的剖面中，上述绝缘层的端部相比于上述透明电极的端部而言位于上述透明电极的内侧。
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公开(公告)号：CN118872062A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025685.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0248
Abstract: 光电转换元件(21)包括支承面(25)及光电转换膜(518)。光电转换膜(518)被配置于支承面(25)。在与垂直于支承面(25)的垂直方向Dv平行的第1截面(201)中，光电转换膜(518)具有第1坡面(518t1)。在第1截面(201)中，将第1坡面(518t1)相对于与支承面(25)平行的第1平行方向Dh的倾斜角度，定义为第1坡度角度θt1。第1坡度角度θt1大于0°且为5°以下。
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公开(公告)号：CN109920808B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201811256952.4
申请日：2018-10-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像装置具备包括多个像素的像素区域和信号线。像素分别包括半导体基板、光电变换部、第1晶体管、布线层和电容元件。光电变换部包括第1电极、第2电极、以及第1第2电极之间的光电变换层。第1晶体管包括第1及第2杂质区域。布线层在半导体基板与第2电极之间，并包含信号线的一部分。电容元件在半导体基板的法线方向上配置在布线层与半导体基板之间，并且包括第3电极、第4电极、电介体层。第1及第2杂质区域的一方作为第1晶体管的源极区域、另一方作为漏极区域发挥功能。第1杂质区域电连接至第2电极；第4电极电连接至第1及第2杂质区域的某一方；沿半导体基板的法线方向观察时第3及第4电极的至少一方将第1杂质区域覆盖。
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公开(公告)号：CN114556572A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080070972.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与第1光电转换部连接的第1像素电极；以及第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与第2光电转换部连接的第2像素电极。第1波段的中心波长与第2波段的中心波长不同。第1像素阵列与第2像素阵列被层叠。在平面图中，通过第1像素电极与第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积，小于从第1像素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。
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