半导体装置及摄像装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116325121A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180071457.X

    申请日:2021-10-01

    发明人: 小柳贵裕

    IPC分类号: H01L21/768

    摘要: 半导体装置,具备:第1电容元件,包含第1电极、第2电极以及位于第1电极与第2电极之间的电介质层;以及第2电容元件,包含第3电极以及位于第2电极与第3电极之间的绝缘层。第1电容元件包含至少1个第1沟槽部。

    电容元件和电容元件的制造方法

    公开(公告)号:CN110164850A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201811579957.0

    申请日:2018-12-24

    IPC分类号: H01L23/64

    摘要: 本发明的一个方案的电容元件具备:第一电极;第二电极,该第二电极与所述第一电极相向;以及电介质层,该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间,并且与所述第一电极接触。在所述第一电极中的与所述第一电极和所述电介质层的界面接触的第一部分、以及所述电介质层中的与所述界面接触的第二部分含有硅。沿着所述第一部分和所述第二部分的厚度方向的所述硅的浓度分布包含横切所述界面的凸部。

    有机电致发光器件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103053219B

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201180037722.9

    申请日:2011-12-16

    IPC分类号: H05B33/06 H01L51/50 H05B33/04

    摘要: 本发明的有机电致发光器件(1)具备:具有阴极层(21)和平滑化层(22)的第1基板(2)、形成于阴极层(21)上的有机层(3)、形成于有机层(3)上的阳极层(4)、以及借助粘接层(5)与阳极层(4)接合的第2基板(6),且在第1基板(2)的周边部的任一区域未形成有机层(3),在该区域的一部分隔着绝缘层(7)向外周侧延伸设置阳极层(4),延伸设置的阳极层(4)向第2基板(6)的相反侧折回,从而构成阳极取出部(40a),第1基板(2)的阴极层(21)的一部分折回,从而构成阴极取出部(40b)。根据该构成,各取出部(40a)、(40b)通过将绝缘层(7)和延伸设置的辅助电极部(42)或第1基板(2)的一部分折回这一简易的步骤即可形成,因此能够有效地制造器件。

    摄像装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110278396B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN201910038971.8

    申请日:2019-01-16

    摘要: 有关本公开的一技术方案的摄像装置具备:半导体基板;第1光电变换部,配置在上述半导体基板内;与上述第1光电变换部不同的第2光电变换部,配置在上述半导体基板内;布线层,配置在上述半导体基板的上方;以及电容元件,配置在上述布线层内,在俯视时将上述第1光电变换部包围。上述电容元件包括第1电极、第2电极、以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的电介体层。上述第1电极连接至上述第1光电变换部或上述第2光电变换部。

    摄像装置
    6.
    发明公开
    摄像装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113196489A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202080007020.5

    申请日:2020-03-17

    IPC分类号: H01L27/146 H04N5/369

    摘要: 本发明的一技术方案的摄像装置具备第1像素以及与第1像素邻接的第2像素。第1像素及第2像素分别包括:第1电极;第2电极,位于第1电极的上方,与第1电极对置;光电变换层,位于第1电极与第2电极之间;以及第1电荷阻挡层,位于第1电极与光电变换层之间。第1像素的第1电荷阻挡层和第2像素的第1电荷阻挡层被分离。光电变换层跨第1像素和第2像素而配置。在平面视图下,第1像素的第1电荷阻挡层的面积比第1像素的第1电极的面积大,第2像素的第1电荷阻挡层的面积比第2像素的第1电极的面积大。

    有机电致发光器件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103370985B

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201180067770.2

    申请日:2011-12-16

    摘要: 有机电致发光器件(1)具备:具有导电性的第1基板(2)、形成于第1基板(2)上的有机层(3)、具有透光性的第2基板(6)及形成在第2基板(6)上的电极层(4),第1基板(2)的电极层4与第2基板(6)的有机层(3)以相互抵接的方式配置,在第2基板的周边部的任一区域未形成有机层(3),在未形成有机层(3)的区域,电极层(4)的一部分延伸设置,在与延伸设置的电极层相对置的部分不存在第1基板(2),电极层(4)的一部分露出而构成电极取出部(40)。在未形成有机层(3)的区域延伸设置的电极层(4)从第1基板(2)露出而形成电极取出部(40),由此能够通过除去第1基板(2)等简易步骤来形成电极取出部(40),从而能够有效地制造。

    电容元件和电容元件的制造方法

    公开(公告)号:CN110164850B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN201811579957.0

    申请日:2018-12-24

    IPC分类号: H01L23/64

    摘要: 本发明的一个方案的电容元件具备:第一电极;第二电极,该第二电极与所述第一电极相向;以及电介质层,该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间,并且与所述第一电极接触。在所述第一电极中的与所述第一电极和所述电介质层的界面接触的第一部分、以及所述电介质层中的与所述界面接触的第二部分含有硅。沿着所述第一部分和所述第二部分的厚度方向的所述硅的浓度分布包含横切所述界面的凸部。