固体摄像装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103946982B

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201280056111.3

    申请日:2012-11-02

    Abstract: 固体摄像装置具备:被配置为矩阵状的多个像素(11);半导体衬底(101);第一电极(113),按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方;光电转换膜(114),被形成在第一电极(113)上,且对光进行光电转换,从而得到信号电荷;电荷积蓄区域(104),被形成在半导体衬底(101),积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷;接触插塞(107),将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接;N型杂质区域(117),被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域;P型杂质区域(151),被形成在不与接触插塞(107)接触的区域;以及低浓度N型杂质区域(150),被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

    固体摄像装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107833899A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711055697.2

    申请日:2013-03-08

    Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素,所述多个像素的每一个具备:第一电压的半导体衬底;金属电极;光电转换层,被形成在所述金属电极上,并将光转换为电信号;透明电极,被形成在所述光电转换层上;电荷积蓄区域,形成在上述半导体衬底中,与所述金属电极电连接,并积蓄来自所述光电转换层的电荷;放大晶体管,输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压;以及复位晶体管,对所述电荷积蓄区域的电位进行复位,在所述复位晶体管导通时,所述复位晶体管的栅极被施加第二电压,在所述复位晶体管断开时,所述复位晶体管的栅极被施加第三电压,所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。

    固体摄像装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107833899B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201711055697.2

    申请日:2013-03-08

    Abstract: 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素,所述多个像素的每一个具备:第一电压的半导体衬底;金属电极;光电转换层,被形成在所述金属电极上,并将光转换为电信号;透明电极,被形成在所述光电转换层上;电荷积蓄区域,形成在上述半导体衬底中,与所述金属电极电连接,并积蓄来自所述光电转换层的电荷;放大晶体管,输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压;以及复位晶体管,对所述电荷积蓄区域的电位进行复位,在所述复位晶体管导通时,所述复位晶体管的栅极被施加第二电压,在所述复位晶体管断开时,所述复位晶体管的栅极被施加第三电压,所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。

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