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公开(公告)号：CN108369200B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680072136.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01N27/00
Abstract: 气体传感器(100)，具备：单元阵列(101)，具有被设置为矩阵状的多个单元(10)；读出电路(102)，读出来自多个单元(10)的信号；以及信号处理部(103)，对被读出的所述信号进行处理，多个单元(10)的每一个单元具有：气体分子检测部(101a)，在邻接的单元(10)之间，该气体分子检测部(101a)电分离；以及放大器电路(101b)，与所述气体分子检测部(101a)电连接。
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公开(公告)号：CN103946982B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201280056111.3
申请日：2012-11-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。
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公开(公告)号：CN105388606B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201510487437.7
申请日：2015-08-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B21/36
Abstract: 本发明提供一种插座、适配器以及组装夹具。插座包括：第1基材(110)，其包括模块设置部(112)和电连接部(130)，所述模块设置部载置包括拍摄元件和被拍摄体的模块，所述电连接部将所述拍摄元件与外部装置电连接；第2基材(150)，其包括开口部(152)；以及卡合部，其在所述第1基材和所述第2基材夹着载置于所述模块设置部的所述模块的条件下对所述第1基材和所述第2基材进行卡合，在所述第1基材和所述第2基材夹着载置于所述模块设置部的所述模块的条件下所述卡合部将所述第1基材和所述第2基材卡合时，所述电连接部与所述拍摄元件电连接，所述被拍摄体接受通过所述开口部的来自光源的照明光。
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公开(公告)号：CN106537614B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201580040471.8
申请日：2015-07-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1461 , H01L27/1464 , H01L31/107 , H02S40/44
Abstract: 对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P‑型半导体层(11)；在P‑型半导体层(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区域(12)；在P‑型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P‑型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P‑型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107949913A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680051341.9
申请日：2016-09-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14612 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L31/00 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 固体摄像元件具备P型的基板(11)和布线层(17)，基板(11)具备：N型半导体区域(12)，被配置于第1主面(S1)，从第1主面(S1)向第2主面(S2)的方向延伸；N型半导体区域(13)，被配置于第2主面(S2)与N型半导体区域(12)之间并与N型半导体区域(12)连接；P型半导体区域(14)，被配置于第2主面(S2)与像素(1)以及像素(2)的N型半导体区域(13)之间；N型阱(15)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(12)与像素(2)的N型半导体区域(12)之间且第1主面(S1)；像素电路，被配置于N型阱(15)内；和像素间分离区域(32)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(13)与像素(2)的N型半导体区域(13)之间。N型半导体区域(13)和P型半导体区域(14)形成雪崩倍增区域(AM)。
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公开(公告)号：CN103493202B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201280019936.8
申请日：2012-04-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。
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公开(公告)号：CN105007392B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510142669.9
申请日：2015-03-30
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明涉及图像形成装置、图像形成方法、图像形成系统。图像形成装置具备：拍摄单元，其与配置在透过了样本切片的光所入射的位置的图像传感器电连接；以及照明系统，其以样本切片为基准从多个不同的照射方向依次出射照明光，所述照明系统用照明光照射样本切片，放射在第一波长带域具有峰值的第一光以及在第二波长带域具有峰值的第二光。从多个不同的照射方向依次用作为照明光的第一光照射样本切片，在其照射中通过图像传感器来取得多个第一颜色图像。从多个不同的照射方向的一部分方向，用第二光照射样本切片，在其照射中通过图像传感器来取得至少一个第二颜色图像。根据多个第一颜色图像以及至少一个第二颜色图像，生成高分辨率图像。
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公开(公告)号：CN108369200A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072136.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01N27/00
Abstract: 气体传感器(100)，具备：单元阵列(101)，具有被设置为矩阵状的多个单元(10)；读出电路(102)，读出来自多个单元(10)的信号；以及信号处理部(103)，对被读出的所述信号进行处理，多个单元(10)的每一个单元具有：气体分子检测部(101a)，在邻接的单元(10)之间，该气体分子检测部(101a)电分离；以及放大器电路(101b)，与所述气体分子检测部(101a)电连接。
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公开(公告)号：CN104823442B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380063129.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/363 , H04N101/00
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/307 , H04N5/374 , H04N5/3741 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够使用负反馈放大电路将kTC噪声大幅降低的固体摄像装置。固体摄像装置具备像素部，该像素部具有以矩阵状配置在半导体基板上的多个像素；像素部按每一列具备电源线和列信号线；多个像素分别具备生成与入射光相应的信号电荷的光电变换部、将信号电荷积蓄的积蓄部、复位晶体管、放大晶体管和截止晶体管；放大晶体管和截止晶体管构成负反馈放大电路，由此能够将kTC噪声大幅降低。
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