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公开(公告)号：CN106576129A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044186.3
申请日：2015-08-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G02B21/367 , G01N21/84 , G01N2201/0627 , G02B13/00 , G02B21/06 , G02B21/26 , G06T1/00 , H04N5/349
Abstract: 提供提高了实用性的图像取得装置以及图像形成系统。本申请的图像取得装置具备光学系统、照明角度调整机构和台。光学系统具有透镜以及在透镜的焦点面内配置的光源，生成准直后的照明光。照明角度调整机构构成为能够变更照明光相对于被摄体的照射方向。台构成为以装卸自由的方式装填将被摄体以及图像传感器一体化以使透射了被摄体的照明光入射到图像传感器而成的模块，具有在装填了模块的状态下获取图像传感器的输出的电路。
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公开(公告)号：CN104823442B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380063129.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/363 , H04N101/00
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/307 , H04N5/374 , H04N5/3741 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够使用负反馈放大电路将kTC噪声大幅降低的固体摄像装置。固体摄像装置具备像素部，该像素部具有以矩阵状配置在半导体基板上的多个像素；像素部按每一列具备电源线和列信号线；多个像素分别具备生成与入射光相应的信号电荷的光电变换部、将信号电荷积蓄的积蓄部、复位晶体管、放大晶体管和截止晶体管；放大晶体管和截止晶体管构成负反馈放大电路，由此能够将kTC噪声大幅降低。
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公开(公告)号：CN104823442A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380063129.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/363 , H04N101/00
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/307 , H04N5/374 , H04N5/3741 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够使用负反馈放大电路将kTC噪声大幅降低的固体摄像装置。固体摄像装置具备像素部，该像素部具有以矩阵状配置在半导体基板上的多个像素；像素部按每一列具备电源线和列信号线；多个像素分别具备生成与入射光相应的信号电荷的光电变换部、将信号电荷积蓄的积蓄部、复位晶体管、放大晶体管和截止晶体管；放大晶体管和截止晶体管构成负反馈放大电路，由此能够将kTC噪声大幅降低。
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公开(公告)号：CN104247022A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019790.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L27/14649 , B82Y20/00 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L29/78 , H01L31/022408 , H01L31/035236 , H01L31/108 , H01L31/109
Abstract: 提供高灵敏度下暗电流少的固体摄像装置以及其制造方法。本发明的固体摄像装置具有：具有摄像区域和周边电路区域的半导体基板；形成在半导体基板上的布线层；矩阵状地配置在摄像区域的上方的布线层之上的多个像素电极；形成在摄像区域的上方的布线层以及多个像素电极之上的光电变换膜；和形成在光电变换膜上的上部电极。光电变换膜包含交替层叠由在长于近红外的波段有基础吸收端的第1半导体构成的多个阱层、和由带隙宽于第1半导体的带隙的第2半导体或绝缘体构成的多个势垒层的层叠结构。
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