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公开(公告)号：CN103620782B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280031195.5
申请日：2012-06-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14621 , H04N5/3572
Abstract: 在本发明的固体摄像元件，单位像素（3）的聚光元件（11）具有以射入单位像素（3）的受光元件（14）的光的波长以下的线宽被分离的、以相对于聚光元件（11）的受光面垂直方向的轴为中心的同心结构的多个光透过膜（33），并具有由多个光透过膜（33）的组合所控制的有效折射率分布，同心结构的多个光透过膜（33）的外缘的形状在受光面上为，与同心结构的中心最近的光透过膜（33）呈正圆、与同心结构的中心远离的光透过膜（33）呈椭圆，椭圆的长轴相对于短轴的比率为，越是与同心结构的中心远离的光透过膜（33）的外缘的形状比率越高，多个单位像素（3）各自的椭圆的长轴方向，在受光面上与连接多个单位像素各自的同心结构的中心和固体摄像元件的中心的矢量相正交。
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公开(公告)号：CN103477186B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280015564.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H04N13/239 , G01C11/06 , G01S7/4914 , G01S17/023 , G01S17/89 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271
Abstract: 立体摄像装置(100)具备：第一摄像机(C1)，生成用于计算表示被摄体的立体形状的第一距离图像的基准图像；第二摄像机(C2)，生成用于计算第一距离图像的参考图像；立体匹配部(3)，搜索基准图像与参考图像之间的对应像素，根据该对应像素计算视差，生成第一距离图像；以及光源(1)，向被摄体照射强度调制后的红外光，第一摄像机(C1)，将由被摄体反射的、强度调制后的红外光的反射光，与该强度调制同步来接受，从而还生成包含距被摄体的反射点的距离信息的第二距离图像。
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公开(公告)号：CN113597534B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080022206.8
申请日：2020-03-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01C3/06 , G06T7/33 , G06T7/521 , G01S17/87 , G01S17/894
Abstract: 本公开所解决的问题是获得将亮度信息和距离信息彼此相关联的数据。测距成像系统(1)包括：第一获取单元(21)，从成像单元(4)获取指示第一亮度图像的信息的第一亮度信息；第二获取单元(22)，从测距单元(5)获取指示第一距离图像的信息的第一距离信息；第三获取单元(23)，从检测单元(6)获取指示第二亮度图像的信息的第二亮度信息，并且获取指示第二距离图像的信息的第二距离信息；以及计算单元(3)。成像单元(4)获取目标空间(S1)的第一亮度图像。测距单元(5)获取对到存在于目标空间(S1)中的对象(O1)的距离加以指示的第一距离图像。在同轴光学系统中，检测单元(6)获取目标空间(S1)的第二亮度图像，并且获取对到存在于目标空间中的物体(O1)的距离加以指示的第二距离图像(S1)。计算单元(3)执行：在第一亮度信息与第二亮度信息之间建立关联的处理以及在第一距离信息与第二距离信息之间建立关联的处理。
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公开(公告)号：CN106537614A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580040471.8
申请日：2015-07-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1461 , H01L27/1464 , H01L31/107 , H02S40/44
Abstract: 对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P-型半导体层(11)；在P-型半导体层域(12)；在P-型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P-型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P-型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区
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公开(公告)号：CN104885222A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380066623.2
申请日：2013-10-01
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , G01J1/42 , G01T1/20 , H01L31/02 , H04N5/369
CPC classification number: H04N5/378 , G01J1/44 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/14634 , H01L27/14665 , H01L31/107 , H01L2924/381 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/37455
Abstract: 本发明提供一种半导体光检测器，通过与以往相比大幅减小暗噪声和倍增噪声，从而能够检测包含随机光在内的微弱光。半导体光检测器至少具有1个单位像素，该单位像素具有光电变换部、电荷积蓄部、以及检测电路。电荷积蓄部对入射光进行光电变换，并且具有通过雪崩倍增对电荷进行倍增的电荷倍增区域。电荷积蓄部与光电变换部连接，积蓄来自光电变换部的信号电荷。检测电路与电荷积蓄部连接，将电荷积蓄部中积蓄的信号电荷变换为电压，通过放大部进行放大后输出。
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公开(公告)号：CN116964881A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019893.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 在发光装置中，能够在不影响提供给光源元件的脉冲电流的波形的情况下检测发光电路部的故障。发光装置包括：包括光源元件(22)的发光电路部(20)、和向发光电路部(20)供给电荷的电源部(10)。发光电路部(20)设置在供电节点(n1)和接地节点(n2)之间。电源部(10)经由供电线(15)与供电节点(n1)相连接。监视部(30)通过监视供电线(15)的电压或电源部(10)的内部电压来检测发光电路部(20)的异常状态。
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公开(公告)号：CN113597534A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080022206.8
申请日：2020-03-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01C3/06 , G06T7/33 , G06T7/521 , G01S17/87 , G01S17/894
Abstract: 本公开所解决的问题是获得将亮度信息和距离信息彼此相关联的数据。测距成像系统(1)包括：第一获取单元(21)，从成像单元(4)获取指示第一亮度图像的信息的第一亮度信息；第二获取单元(22)，从测距单元(5)获取指示第一距离图像的信息的第一距离信息；第三获取单元(23)，从检测单元(6)获取指示第二亮度图像的信息的第二亮度信息，并且获取指示第二距离图像的信息的第二距离信息；以及计算单元(3)。成像单元(4)获取目标空间(S1)的第一亮度图像。测距单元(5)获取对到存在于目标空间(S1)中的对象(O1)的距离加以指示的第一距离图像。在同轴光学系统中，检测单元(6)获取目标空间(S1)的第二亮度图像，并且获取对到存在于目标空间中的物体(O1)的距离加以指示的第二距离图像(S1)。计算单元(3)执行：在第一亮度信息与第二亮度信息之间建立关联的处理以及在第一距离信息与第二距离信息之间建立关联的处理。
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公开(公告)号：CN106537614B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201580040471.8
申请日：2015-07-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1461 , H01L27/1464 , H01L31/107 , H02S40/44
Abstract: 对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P‑型半导体层(11)；在P‑型半导体层(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区域(12)；在P‑型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P‑型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P‑型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。
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公开(公告)号：CN107949913A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680051341.9
申请日：2016-09-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14612 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L31/00 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 固体摄像元件具备P型的基板(11)和布线层(17)，基板(11)具备：N型半导体区域(12)，被配置于第1主面(S1)，从第1主面(S1)向第2主面(S2)的方向延伸；N型半导体区域(13)，被配置于第2主面(S2)与N型半导体区域(12)之间并与N型半导体区域(12)连接；P型半导体区域(14)，被配置于第2主面(S2)与像素(1)以及像素(2)的N型半导体区域(13)之间；N型阱(15)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(12)与像素(2)的N型半导体区域(12)之间且第1主面(S1)；像素电路，被配置于N型阱(15)内；和像素间分离区域(32)，被配置于像素(1)的N型半导体区域(13)与像素(2)的N型半导体区域(13)之间。N型半导体区域(13)和P型半导体区域(14)形成雪崩倍增区域(AM)。
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公开(公告)号：CN116648596A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180086143.7
申请日：2021-11-18
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G01C3/06
Abstract: 利用使用了子范围法生成距离图像数据的成像装置，能够更高精度地对对象物的周围进行监视。关于跨越相邻的第一距离区和第二距离区而存在的对象物(OB)，求出在第一距离区的近前侧位置处的第一位置、在第一距离区与第二距离区之间的边界位置处的第二位置、以及表示在第二距离区的里侧位置处的位置的第三位置。然后，根据第二位置相对于连结第一位置与第三位置的直线的位置信息，生成对象物(OB)的位置数据。
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