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公开(公告)号：CN109801932B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/67
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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公开(公告)号：CN109728017B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN112866598A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011189259.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器的操作方法，包括：在至少一个像素中执行对应于第一照度的第一采样操作；在所述至少一个像素中执行对应于第二照度的第二采样操作；以及在所述至少一个像素中，输出对应于所述第一采样操作的第一像素电压，或者输出对应于所述第二采样操作的第二像素电压。
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公开(公告)号：CN109728015A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811243122.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了包括能够在非常短的时间内建立输出电压以实现高速图像传感器的结构的图像传感器。该图像传感器包括：像素区域，其中设置光电二极管(PD)和传输晶体管(Tr)，传输晶体管(Tr)被配置为将PD中累积的电荷传输到浮置扩散(FD)区域；以及Tr区域，其与像素区域相邻设置，并包括第一Tr、第二Tr和第三Tr，其中设置在第一Tr的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和设置在第二Tr的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比传输Tr的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728015B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201811243122.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 提供了包括能够在非常短的时间内建立输出电压以实现高速图像传感器的结构的图像传感器。该图像传感器包括：像素区域，其中设置光电二极管(PD)和传输晶体管(Tr)，传输晶体管(Tr)被配置为将PD中累积的电荷传输到浮置扩散(FD)区域；以及Tr区域，其与像素区域相邻设置，并包括第一Tr、第二Tr和第三Tr，其中设置在第一Tr的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和设置在第二Tr的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比传输Tr的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。
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公开(公告)号：CN106341628B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201610529683.9
申请日：2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器，包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管，以及第二光电荷累积器，包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器，将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域，以及第二传输控制器，将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管，根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
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公开(公告)号：CN109801932A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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公开(公告)号：CN109728017A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN106341628A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610529683.9
申请日：2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/23245 , H04N5/35563 , H04N5/367 , H04N5/35536 , H04N5/378
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器，包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管，以及第二光电荷累积器，包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器，将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域，以及第二传输控制器，将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管，根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
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