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公开(公告)号：CN104681571A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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公开(公告)号：CN109728017B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103985721B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410046825.7
申请日：2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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公开(公告)号：CN103985721A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410046825.7
申请日：2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118213377A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311717461.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素的基板。每个像素包括：在基板中的光电转换区和浮置扩散区；在基板的第一表面上的包括像素栅极的像素晶体管；第一传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，延伸到基板中，并在水平方向上具有第一宽度；以及第二传输栅极，在光电转换区和浮置扩散区之间，当在平面图中观看时布置在像素栅极和第一传输栅极之间，并在水平方向上具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN109728017A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN104681571B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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公开(公告)号：CN106599336A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610878494.2
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/5081 , G06F2217/12
Abstract: 提供了一种半导体工艺模拟装置、一种半导体工艺模拟方法和一种执行半导体工艺模拟的计算装置。所述半导体工艺模拟方法包括：基于退火模拟将半导体工艺模拟划分成多个块；执行与从多个块中选择的块对应的形状模拟；以及基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据，并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。
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