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公开(公告)号：CN117878130A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311288019.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/60
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底；至少一个传输门，在基底的顶表面上；浮动扩散区域，位于基底中并且在第一方向上与所述至少一个传输门分开设置，第一方向平行于基底的顶表面；本征半导体区域，位于基底中并且在第一方向上设置在所述至少一个传输门与浮动扩散区域之间；以及光电转换区域，位于基底中并且在第二方向上与浮动扩散区域分开设置，其中，第二方向垂直于第一方向，其中，本征半导体区域是未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN117457690A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310845461.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器。根据本公开的图像传感器包括：第一像素组，第一像素组包括第一像素单元，第一像素单元与第一颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第一像素。第一像素组还包括第二像素单元，第二像素单元与第二颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第二像素。第一像素组还包括第三像素单元，第三像素单元与第三颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第三像素，并且m和n是大于或等于3的自然数。第一微透镜被包括在第一像素单元中，并且由所述多个第一像素之中的在第一方向上的至少两个邻近的第一像素共享。
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公开(公告)号：CN115225835A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210259465.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/355 , H04N9/04 , H01L27/146
Abstract: 提供了相机模块和相机模块的操作方法。所述相机模块包括：多个像素，每个像素包括第一子像素至第四子像素；行驱动器，通过多条行线连接到所述多个像素；模数转换电路，通过多条列线连接到所述多个像素，并且将所述多条列线的信号转换为数字值；以及逻辑电路。第一子像素至第四子像素中的每个包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域中的每个包括光电检测器。响应于行驱动器激活包括在所述多个像素之中的一个像素中的一半或更少的光电检测器的信号，模数转换电路生成第一信号。逻辑电路基于第一信号生成自动对焦信号。
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公开(公告)号：CN108257990B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201711390137.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：CN116112816A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211404503.6
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/59 , H04N25/46 , H04N25/571 , H04N25/772
Abstract: 提供了一种包括以矩阵形状排列的像素的像素阵列。像素具有相同的结构，并且被前深槽隔离(FDTI)彼此分离。像素当中的第一像素包括第一浮动扩散区、第一组光电转换元件、第一组电荷转移晶体管、第一源极跟随器晶体管以及串联连接在第一浮动扩散区和电压供应线之间的第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管之一形成在第一子像素区域中。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管中的至少另一个形成在第二子像素区域中。第一子像素区域和第二子像素区域被FDTI彼此分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114725137A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111570513.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括第一像素区域至第四像素区域，每个像素区域包括第一光电转换部至第四光电转换部；以及像素分隔结构，该像素分隔结构设置在半导体衬底中并且将第一像素区域至第四像素区域彼此分开。第二像素区域在第一方向上与第一像素区域间隔开。第四像素区域在第二方向上与第一像素区域间隔开。第二方向与第一方向相交。半导体衬底包括：设置在第一像素区域至第四像素区域的对应中心部分上的第一杂质部；以及设置在第二像素区域和第四像素区域之间的第二杂质部。掺杂在第一杂质部中的杂质的导电类型与掺杂在第二杂质部中的杂质的导电类型不同。
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公开(公告)号：CN114302082A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111170318.0
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/3745
Abstract: 提供一种像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器。一种用于图像传感器的像素阵列，包括:第一像素，包括浮动扩散节点及第一选择晶体管，第一选择晶体管被配置为输出使用第一像素的浮动扩散节点的电压生成的第一像素信号；第二像素，包括浮动扩散节点和第二选择晶体管，第二选择晶体管被配置为输出使用第二像素的浮动扩散节点的电压生成的第二像素信号；和列线，连接到第一选择晶体管和第二选择晶体管。在低转换增益模式下，第一和第二像素的浮动扩散节点可以被配置为彼此电连接，并且第一选择晶体管和第二选择晶体管可以被配置为导通，使得第一像素信号和第二像素信号被输出到列线。
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公开(公告)号：CN108257990A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711390137.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L21/266 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H04N5/3741 , H04N5/3742 , H04N5/37457 , H04N5/376 , H04N9/045 , H04N9/07 , H04N2209/042 , H01L27/146 , H01L27/14636 , H01L27/14645
Abstract: 图像传感器可以根据图像传感器中的各种像素结构来优化图像传感器中的每一个像素和/或每一个光电二极管的控制。电子设备可以包括图像传感器。图像传感器可以包括多个像素，每一个像素包括光电二极管和被配置为将累积在光电二极管中的电荷传输到浮置扩散区的传输晶体管、以及分别连接到像素的传输晶体管的栅电极的传输晶体管线。传输晶体管线可以接收具有不同幅度的电压。
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公开(公告)号：CN104681571B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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公开(公告)号：CN116367004A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211677473.6
申请日：2022-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/78 , H04N25/61 , H04N25/63 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素；以及逻辑电路，从多个像素获取像素信号，其中，多个像素中的每一个包括光电二极管和设置在光电二极管上的像素电路区，其中，像素阵列包括多个像素组，多个像素组中的每一个具有多个像素中的在第一方向和第二方向上彼此相邻的四个或更多个像素，其中，多个像素组中的每一个像素组中的像素电路区包括多个晶体管，其中，多个晶体管中的至少一个是驱动晶体管，该驱动晶体管包括第一有源区、第二有源区、以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上设置在第一有源区和第二有源区之间的栅结构。
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