公开(公告)号：CN101727969B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200910205251.2

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  金元住 ,  李太熙 ,  车大吉

IPC: G11C11/4063 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。

公开(公告)号：CN103777750A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310504921.7

申请日：2013-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元住 ,  陈暎究 ,  权东旭 ,  金庆溢 ,  金民镐 ,  李起相 ,  李相普 ,  李镇京 ,  崔镇旭

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/0487 ,  G06F1/32 ,  H04M1/73

CPC classification number: G06F3/017 ,  G06F1/3262 ,  G06F3/011 ,  G06F3/0416 ,  G06F2203/04101 ,  G06F2203/04106

Abstract: 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。

公开(公告)号：CN101552287A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910203994.6

申请日：2009-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元住 ,  崔相武 ,  李太熙

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/7317 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。提供的半导体器件包括：衬底区；在衬底区上的有源区；在有源区上的栅极图案；以及第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，沿有源区的两个边缘且不与栅极图案重叠。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区在水平方向的长度可以短于在垂直方向上的长度。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区可以沿有源区的两个边缘形成为狭窄的从而不与栅极图案重叠。

公开(公告)号：CN103777750B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201310504921.7

申请日：2013-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元住 ,  陈暎究 ,  权东旭 ,  金庆溢 ,  金民镐 ,  李起相 ,  李相普 ,  李镇京 ,  崔镇旭

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/0487 ,  G06F1/3293 ,  H04M1/73

Abstract: 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。

公开(公告)号：CN101727969A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910205251.2

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  金元住 ,  李太熙 ,  车大吉

IPC: G11C11/4063 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。

公开(公告)号：CN1627503A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410098358.9

申请日：2004-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仁才 ,  金元住 ,  徐顺爱

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833

Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅层叠结构，并通过蚀刻所述栅层叠结构的端部，部分地暴露所述半导体衬底的上端部分；将掺杂剂注入到所述半导体衬底的所述暴露部分中以形成源区和漏区，其中蚀刻所述栅层叠结构使得其宽度从顶部至底部增加。因此，可采用简化的制造工艺来制造高集成度的存储器件。

公开(公告)号：CN104681571A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410602284.1

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成瞮 ,  高亨守 ,  金元住 ,  尹浈斌 ,  李光敏

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/16 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。

公开(公告)号：CN101764134A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910221919.2

申请日：2009-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金元住

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18

Abstract: 本发明提供一种三维半导体存储装置及其操作方法。三维半导体存储装置包括：多个字线结构，在基底上；有源半导体图案，在所述多个字线结构之间；信息存储元件，在所述多个字线结构和所述有源半导体图案之间。所述多个字线结构中的每个字线结构包括彼此分隔开并堆叠的多条字线，所述有源半导体图案包括电极区域和沟道区域，电极区域和沟道区域具有彼此不同的导电类型并交替布置。

公开(公告)号：CN101752304A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910246685.7

申请日：2009-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元住 ,  崔相武 ,  李太熙 ,  朴允童

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法可通过使用选择性蚀刻仅在体半导体基底的一个或多个局部化区域中形成具有绝缘体上硅(SOI)结构的存储器单元。因此，可以将不同的偏压施加到外围器件和具有SOI结构的存储器单元。

公开(公告)号：CN101521228A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910001436.1

申请日：2009-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元住 ,  车大吉 ,  李太熙 ,  朴允童

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102

CPC classification number: H01L29/7391 ,  G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1023 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/8618

Abstract: 本发明提供半导体装置和包括该半导体装置的半导体设备。半导体装置包括设置在半导体基底上的主体区域、设置在半导体基底上和主体区域的相对的侧部上的栅极图案以及设置在主体区域的上表面上的第一和第二掺杂区域。栅极图案可以与第一和第二掺杂区域分开期望的距离或分开大于期望的距离的距离，从而沿与第一和第二掺杂区域垂直的方向，栅极图案不与第一和第二掺杂区域叠置。