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公开(公告)号：CN118678664A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311628727.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体器件可以包括：半导体衬底，具有限定有源区的器件隔离沟槽；器件隔离层，设置在器件隔离沟槽中；栅极沟槽，沿第一方向延伸并且与半导体衬底的有源区和器件隔离层交叉；字线，分别设置在栅极沟槽中，每个栅极沟槽可以包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分在有源区中，第二沟槽部分在器件隔离层中，第一沟槽部分可以具有第一深度，并且第二沟槽部分可以具有大于第一深度的第二深度，器件隔离层可以包括下部和在下部上的上部，下部位于比第一沟槽部分的底表面低的水平处，并且下部可以由具有比上部的介电常数低的介电常数的介电材料形成。
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公开(公告)号：CN118472031A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410061328.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括：从衬底突出的第一有源图案；栅极结构，其包括横向堆叠在第一有源图案的第一侧壁上的栅极绝缘层和栅极图案，栅极图案面向第一有源图案的第一侧壁并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及第一导电层图案，其接触栅极绝缘层并从栅极结构的侧壁突出。第一导电层图案可以设置为面向第一有源图案在第一方向上的第二侧壁和第三侧壁，并且第一导电层图案可以与第一有源图案间隔开。
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公开(公告)号：CN118368888A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311374361.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：沿着第一方向延伸的有源图案；以及与有源图案交叉的第一字线和第二字线。有源图案包括在第一字线与第二字线之间的中心有源部分。中心有源部分包括：中心部分，其从第一字线延伸至第二字线；第一中心突起，其在与第一方向交叉的第二方向上从中心部分的一个侧表面突出；以及第二中心突起，其在第二方向的反方向上从中心部分的另一个侧表面突出。第一中心突起从第一字线沿着第一方向延伸。第二中心突起从第二字线沿着第一方向的反方向延伸。
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公开(公告)号：CN109979941B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201811542208.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN111435660A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201911035132.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，具有竖直堆叠在基底上的多个层，每个层包括：第一位线和栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一位线和栅极线之间沿第二方向延伸，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻，第二半导体图案在第一方向上延伸；第一字线，与第一半导体图案相邻并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直；第二位线，连接到第二半导体图案的一端并从基底在第三方向上竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的另一端并在第三方向上竖直延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310993A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H01L27/115
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN108695327A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810326639.7
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。
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公开(公告)号：CN107104075A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710099074.9
申请日：2017-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L28/00 , H01L29/045 , H01L29/4236 , H01L21/76224 , H01L23/13 , H01L29/772
Abstract: 一种半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。
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公开(公告)号：CN103513402A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210317037.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: 提供一种移动式微型成像光学器，其作为包含受光元件的成像用光学器，从物体侧按顺序包括：第1透镜，其具备正或负的折射率；第2透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面为凹陷形状；第3透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状；和第4透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状。并且满足以下数学式1至数学式3：数学式1，0.25＜FBL/f＜0.35；数学式2，3.5＜OL/FBL＜4.5；数学式3，f/D≤2.6。其中，FBL是从所述成像光学器结构部分的上侧面端侧至受光元件的距离，OL是以光轴为基准从所述第1透镜的物体侧面至受光元件的距离，f是以光轴为基准所述成像光学器的焦点距离，D是所述成像光学器的入射瞳口径。
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公开(公告)号：CN118475116A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410043407.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：第一有源图案，其从衬底突出并在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一凹部和第二凹部，该第一凹部和第二凹部在垂直于第一方向的第二方向上与第一有源图案交叉；第一栅极结构，其在第一凹部中，并且包括第一栅极氧化物层、第一栅极图案和第一封盖图案；第二栅极结构，其在第二凹部中，并包括第二栅极氧化物层、第二栅极图案和第二封盖图案；第一金属衬里图案，其围绕第一有源图案的部分的侧壁，并且直接接触第一栅极图案的侧壁；以及第二金属衬里图案，其围绕第一有源图案的部分的侧壁，并且直接接触第二栅极图案的侧壁。
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