公开(公告)号：CN100573912C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510119980.8

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 上野哲嗣 ,  李化成 ,  李浩 ,  申东石 ,  李承换

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明的晶体管包括具有{100}晶面的第一表面、高度低于第一表面的{100}晶面的第二表面和将第一表面连接到第二表面的{111}晶面的第三表面的半导体衬底。在第二表面下面形成第一重掺杂杂质区。在第一表面上形成栅极结构。在第二表面和第三表面上形成外延层。在栅极结构的两侧形成第二重掺杂杂质区。第二重掺杂杂质区具有{111}晶面的侧面，从而防止在杂质区之间产生短沟道效应。

公开(公告)号：CN100456439C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410043316.5

申请日：2004-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承换 ,  朴文汉 ,  李化成 ,  李浩 ,  柳载润

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 在使用选择性外延生长(SEG)工艺的具有抬高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中，以及在制造具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，在形成外延层后形成源极/漏极扩展结，由此防止源极/漏极结区的恶化。此外，由于采用SEG工艺形成两个栅极隔离物和两个抬高的源极/漏极层，所以源极/漏极扩展结被栅极层的下部部分地覆盖。这缓解了短沟道效应并减小了源极/漏极层中和栅极层中的表面电阻。

公开(公告)号：CN100359639C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510091369.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  李化成 ,  上野哲 ,  李浩 ,  李承换

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种在单晶半导体上选择性形成外延半导体层的方法及其制造的半导体器件，使用主要半导体源气体和主要蚀刻气体分别在单晶半导体和非单晶半导体图案上形成单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层。使用选择性蚀刻气体移除非单晶外延半导体层。主要半导体源气体和主要蚀刻气体以及选择性蚀刻气体交替和重复至少供应两次以便仅仅在单晶半导体上选择性形成具有预定厚度的升高的单晶外延半导体层。选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。

公开(公告)号：CN101026091A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710100610.9

申请日：2007-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 上野哲嗣 ,  李化成 ,  李浩

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法。该方法包括将团簇形掺杂剂离子注入到半导体衬底中从而形成杂质注入区。对该杂质注入区进行退火工艺从而形成杂质掺杂区。

公开(公告)号：CN1825543A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005732.5

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  李化成 ,  上野哲嗣 ,  李浩 ,  李承换

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C30B25/18

Abstract: 本发明提供了与外延工艺结合使用的原位预净化方法，其在适于导致来自暴露的半导体表面的比如原生氧化物的半导体氧化物的分解的压力和环境条件下，利用了处于或低于那些通常在随后的外延沉积期间使用的温度。减小的温度和所得到的净化的半导体表面质量趋于减小与温度相关的问题的可能性，例如不希望的扩散、自动掺杂、滑移和其他的应力问题，同时减少了总的工艺时间。在反应室内保持的压力、环境气体成分和温度的组合足以分解在硅表面上存在的半导体氧化物。例如，反应室可以被如此控制，使得在反应室内的析出氧气的浓度小于净化条件下平衡气压的约50％，或甚至小于净化条件下平衡气压的10％。

公开(公告)号：CN100527438C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510004622.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李化成 ,  上野哲嗣 ,  柳载润 ,  李浩 ,  李承换 ,  金炫锡 ,  朴文汉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种至少五侧面沟道型FinFET晶体管(鳍式场效应晶体管)，其可以包括：基底；形成在所述基底上的半导体主体，所述主体的设置在长向具有其间夹一沟道区的源/漏极区域，至少所述沟道在基底上方在横贯长向的截面内具有至少五个平面表面；所述主体的沟道区上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成的栅极。

公开(公告)号：CN1790743A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119980.8

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 上野哲嗣 ,  李化成 ,  李浩 ,  申东石 ,  李承换

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明的晶体管包括具有{100}晶面的第一表面、高度低于第一表面的{100}晶面的第二表面和将第一表面连接到第二表面的{111}晶面的第三表面的半导体衬底。在第二表面下面形成第一重掺杂杂质区。在第一表面上形成栅极结构。在第二表面和第三表面上形成外延层。在栅极结构的两侧形成第二重掺杂杂质区。第二重掺杂杂质区具有{111}晶面的侧面，从而防止在杂质区之间产生短沟道效应。

公开(公告)号：CN110310993B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201910216931.8

申请日：2019-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  金俊秀 ,  李浩 ,  金灿景 ,  金会承 ,  闵在泓 ,  朴相郁 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24 ,  H10B69/00

Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。

公开(公告)号：CN100477264C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510063945.9

申请日：2005-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 上野哲嗣 ,  申东石 ,  李化成 ,  李浩 ,  李承换

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法。本发明的晶体管制造方法包括在半导体衬底的{100}面的表面上形成栅图形；在所述栅图形的侧壁上形成第一隔离壁；在所述第一隔离壁上形成第二隔离壁；蚀刻所述半导体衬底的邻近所述栅图形的两侧的部分，从而形成凹陷，该凹陷包括高度低于所述表面的{100}面的底面、以及连接所述表面与所述底面的{111}面的侧面，该凹陷暴露出所述第一隔离壁和所述第二隔离壁或者所述第一隔离壁、所述第二隔离壁和所述栅图形的一部分；在所述凹陷中生长外延层；以及将杂质注入所述外延层中从而形成杂质区。

公开(公告)号：CN101299440A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086977.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  李正贤 ,  李来寅 ,  朴连植 ,  李化成 ,  李浩 ,  赵世泳 ,  金锡必

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。