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公开(公告)号：CN118400997A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311259803.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括由器件隔离层限定的外围有源图案；栅极结构，所述栅极结构位于所述外围有源图案上；以及栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述栅极结构的侧表面的至少一部分。所述栅极结构包括绝缘图案结构和位于所述绝缘图案结构上的金属图案结构。所述绝缘图案结构包括在第一高度在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上具有最大深度的凹陷。所述绝缘图案结构包括依次堆叠在所述衬底的所述顶表面上的第一栅极绝缘图案和高k电介质层。所述栅极间隔物包括插入在所述凹陷中的突起。
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公开(公告)号：CN108155147B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201711224331.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法可以包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；形成覆盖单元阵列区域并暴露外围电路区域的至少一部分的掩模图案；在由掩模图案暴露的外围电路区域上生长半导体层，使得半导体层具有与衬底不同的晶格常数；形成覆盖单元阵列区域并暴露半导体层的缓冲层；形成覆盖缓冲层和半导体层的导电层；以及图案化导电层以在单元阵列区域上形成导电线以及在外围电路区域上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN103367401B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310108221.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/04 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了晶体管、半导体器件以及半导体模块，具体提供了一种包括埋设的单元阵列晶体管的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。所述半导体器件包括衬底中的场区，并且场区限定了有源区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区处于有源区中。栅极沟槽处于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且处于有源区和场区中。栅极结构处于栅极沟槽内。栅极结构包括栅极电极、栅极电极上的绝缘栅极加盖图案、栅极电极与有源区之间的栅极电介质以及绝缘栅极加盖图案与有源区之间的含金属绝缘材料层。
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公开(公告)号：CN118475115A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311665780.7
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；有源区域；单元字线，在单元区域内沿第一水平方向延伸跨过有源区域；单元位线，在单元区域中沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；外围电路栅极结构，在衬底上沿第二水平方向延伸；外围电路间隔物结构，设置在外围电路栅极结构的侧壁上；外围电路蚀刻停止层，设置在衬底上，并且与外围电路栅极结构和外围电路间隔物结构分离；以及外围电路接触部，通过贯穿外围电路蚀刻停止层而连接到衬底。外围电路蚀刻停止层具有位于外围电路接触部和外围电路间隔物结构之间的端部。
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公开(公告)号：CN112714811A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201980060067.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种衣物护理装置包括：主体，包括衣物护理室和布置在衣物护理室下面的机器室；蒸汽产生装置，配置为产生蒸汽；蒸汽喷射器，包括蒸汽喷射口和冷凝水出口，该蒸汽喷射口配置为从蒸汽产生装置接收蒸汽并将蒸汽喷射到衣物护理室的内部中，该冷凝水出口配置为将来自该蒸汽的冷凝水排放到衣物护理室的内部中；以及排水孔，在冷凝水出口下面提供在衣物护理室中以将衣物护理室连接到机器室，从而允许从冷凝水出口排放的冷凝水流入机器室中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155173A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711261582.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L27/10814 , H01L27/10888 , H01L27/10894 , H01L27/11568 , H01L27/0886 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体器件包括基板，该基板包括包含单元有源区域的单元阵列区域。绝缘图案在基板上。绝缘图案包括暴露单元有源区域并且延伸到单元有源区域中的直接接触孔。直接接触导电图案在直接接触孔中并且连接到单元有源区域。位线在绝缘图案上。位线连接到直接接触导电图案并且在垂直于绝缘图案的上表面的方向上延伸。绝缘图案包括包含非金属基电介质材料的第一绝缘图案和在第一绝缘图案上的第二绝缘图案。第二绝缘图案包括具有比第一绝缘图案的介电常数高的介电常数的金属基电介质材料。
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公开(公告)号：CN107256889A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710696917.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/04 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了晶体管、半导体器件以及半导体模块，具体提供了一种包括埋设的单元阵列晶体管的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。所述半导体器件包括衬底中的场区，并且场区限定了有源区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区处于有源区中。栅极沟槽处于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且处于有源区和场区中。栅极结构处于栅极沟槽内。栅极结构包括栅极电极、栅极电极上的绝缘栅极加盖图案、栅极电极与有源区之间的栅极电介质以及绝缘栅极加盖图案与有源区之间的含金属绝缘材料层。
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公开(公告)号：CN103367401A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310108221.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L27/04 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了晶体管、半导体器件以及半导体模块，具体提供了一种包括埋设的单元阵列晶体管的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。所述半导体器件包括衬底中的场区，并且场区限定了有源区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区处于有源区中。栅极沟槽处于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且处于有源区和场区中。栅极结构处于栅极沟槽内。栅极结构包括栅极电极、栅极电极上的绝缘栅极加盖图案、栅极电极与有源区之间的栅极电介质以及绝缘栅极加盖图案与有源区之间的含金属绝缘材料层。
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公开(公告)号：CN119545790A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411198936.X
申请日：2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种无电容器的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一金属氧化物半导体膜；与第一金属氧化物半导体膜间隔开的第二金属氧化物半导体膜；与第一金属氧化物半导体膜和第二金属氧化物半导体膜相交的第一栅电极；插置于第一金属氧化物半导体膜和第一栅电极之间的第一栅极电介质膜；在第一栅极电介质膜中的电荷存储膜，电荷存储膜沿着第一金属氧化物半导体膜的至少一部分延伸并连接到第二金属氧化物半导体膜；第二栅电极，与第一栅电极间隔开并与第二金属氧化物半导体膜相交；以及第二栅极电介质膜，插置于第二金属氧化物半导体膜和第二栅电极之间。
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