公开(公告)号：CN113161355B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202011054158.9

申请日：2020-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该器件包括：包括单元区和外围区的衬底；在单元区中设置在衬底上的多个下电极；设置在多个下电极上的介电层；设置在介电层上的含金属层；设置在含金属层上并且电连接到含金属层的硅锗层；设置在硅锗层上并且电连接到硅锗层的导电焊盘；以及设置在导电焊盘上并且电连接到导电焊盘的上电极接触插塞。导电焊盘沿第一方向从上电极接触插塞朝向外围区延伸，并且硅锗层包括沿第一方向延伸超出导电焊盘的边缘部分。

公开(公告)号：CN113161355A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011054158.9

申请日：2020-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该器件包括：包括单元区和外围区的衬底；在单元区中设置在衬底上的多个下电极；设置在多个下电极上的介电层；设置在介电层上的含金属层；设置在含金属层上并且电连接到含金属层的硅锗层；设置在硅锗层上并且电连接到硅锗层的导电焊盘；以及设置在导电焊盘上并且电连接到导电焊盘的上电极接触插塞。导电焊盘沿第一方向从上电极接触插塞朝向外围区延伸，并且硅锗层包括沿第一方向延伸超出导电焊盘的边缘部分。

公开(公告)号：CN118400997A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311259803.4

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 ,  郑爀采 ,  韩相逸 ,  朴正振 ,  金秀炫 ,  李哲 ,  张成豪 ,  张馨元

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括由器件隔离层限定的外围有源图案；栅极结构，所述栅极结构位于所述外围有源图案上；以及栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述栅极结构的侧表面的至少一部分。所述栅极结构包括绝缘图案结构和位于所述绝缘图案结构上的金属图案结构。所述绝缘图案结构包括在第一高度在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上具有最大深度的凹陷。所述绝缘图案结构包括依次堆叠在所述衬底的所述顶表面上的第一栅极绝缘图案和高k电介质层。所述栅极间隔物包括插入在所述凹陷中的突起。

公开(公告)号：CN113345898A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110188281.8

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  尹宰铉 ,  金圭镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李圭现 ,  韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括：元件隔离区；第一有源区，由元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，第一有源区包括设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及栅电极，设置在元件隔离区和第一有源区中的每一个内并且沿不同于第一方向的第二方向延伸。第二部分沿第一方向与第一部分间隔开，并且第三部分与第一部分和第二部分中的每一个接触。第一部分沿第二方向的第一宽度小于第三部分沿第二方向的第二宽度。