公开(公告)号：CN103811494B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201310547253.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  金昌圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。

公开(公告)号：CN103811494A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310547253.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  金昌圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。

公开(公告)号：CN112750829A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010801170.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重赞 ,  金昌圭 ,  金熙中 ,  慎一縡 ,  安泰炫 ,  李基硕 ,  赵银珠 ,  崔贤根 ,  朴成珉 ,  李雅蓝 ,  韩相然 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：第一半导体图案，第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开，每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面；第一源/漏区和第二源/漏区，设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻；沟道区，位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间；第一字线，与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸；以及栅极绝缘层，置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可以延伸，以置于第一源/漏区之间。