公开(公告)号：CN104978991A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510175175.0

申请日：2015-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  徐基晳

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C11/165 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/003 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

Abstract: 本公开提供了半导体存储器器件以及磁存储器器件。磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段。多个可单独控制的源极线可以每个联接到所述多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。

公开(公告)号：CN102820299A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210186853.X

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  徐基晳 ,  尹泰应

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/102 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1691 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明提供一种存储器件。所述存储器件包括：在半导体基板中的下互连，所述下互连由不同于半导体基板的材料制成；在下互连上的选择元件；以及在选择元件上的存储元件。

公开(公告)号：CN104978991B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201510175175.0

申请日：2015-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  徐基晳

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/24

Abstract: 本公开提供了半导体存储器器件以及磁存储器器件。磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段。多个可单独控制的源极线可以每个联接到所述多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。