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公开(公告)号：CN118866918A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311534265.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一衬底，其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线；以及第二衬底，其附接到第一衬底的第一侧，并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘，第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。
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