公开(公告)号：CN118866918A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311534265.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋玟浩 ,  权杜原 ,  金度延 ,  李贵德 ,  林京泰

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一衬底，其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线；以及第二衬底，其附接到第一衬底的第一侧，并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘，第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。

公开(公告)号：CN115810645A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211108860.8

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋玟浩 ,  康升国

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：堆叠结构，其包括限定了多个像素的有源像素区和布置在有源像素区的至少一侧上的焊盘区。堆叠结构包括：第一衬底，其包括每个像素中的光电转换区和浮动扩散区、第一半导体衬底、第一半导体衬底上的第一前结构和穿过焊盘区中的第一半导体衬底的焊盘开口；第二衬底，其附着于第一衬底并且包括电连接至每个像素中的浮动扩散区的像素栅极；第三衬底，其附着于第二衬底并且包括用于驱动多个像素的逻辑晶体管；以及焊盘，其顶表面通过焊盘开口暴露。