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公开(公告)号：CN108878397A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810442999.3
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/30
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/442
Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
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公开(公告)号：CN109728025B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108696701B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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公开(公告)号：CN109728025A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108695353B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201810325115.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110191294B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN108878397B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810442999.3
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/30
Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
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公开(公告)号：CN110191294A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN108696701A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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公开(公告)号：CN108695353A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810325115.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H04N5/3591 , H04N5/3597 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H01L27/14601 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14643
Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。
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