公开(公告)号：CN109801933B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN111081726A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910988523.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张刚 ,  权世力 ,  金亨容 ,  朴锡甲 ,  白寅圭 ,  边炅来 ,  崔津榕

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明构思提供一种基于结构光(SL)的三维(3D)图像传感器，具有其中布线层的制造工艺的难度降低和/或电容器的底部焊盘的区域增加的结构。所述3D图像传感器包括：包括半导体衬底中的光电二极管和栅极组的像素区域，栅极组包括多个栅极；在像素区域的上部上的多重布线层，多重布线层包括至少两个布线层；以及位于作为多重布线层中的最低布线层的第一布线层和在第一布线层上的第二布线层之间的电容器结构，电容器结构包括底部焊盘、顶部焊盘和多个电容器，其中，底部焊盘连接至第一布线层。

公开(公告)号：CN109801933A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。