公开(公告)号：CN111081726A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910988523.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张刚 ,  权世力 ,  金亨容 ,  朴锡甲 ,  白寅圭 ,  边炅来 ,  崔津榕

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明构思提供一种基于结构光(SL)的三维(3D)图像传感器，具有其中布线层的制造工艺的难度降低和/或电容器的底部焊盘的区域增加的结构。所述3D图像传感器包括：包括半导体衬底中的光电二极管和栅极组的像素区域，栅极组包括多个栅极；在像素区域的上部上的多重布线层，多重布线层包括至少两个布线层；以及位于作为多重布线层中的最低布线层的第一布线层和在第一布线层上的第二布线层之间的电容器结构，电容器结构包括底部焊盘、顶部焊盘和多个电容器，其中，底部焊盘连接至第一布线层。

公开(公告)号：CN118431241A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311645195.0

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金井山 ,  金宽植 ,  崔津榕 ,  金嘉映 ,  金泰暋 ,  朴龙纯 ,  白寅圭 ,  李承祜

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 公开了图像传感器和包括图像传感器的电子系统。所述图像传感器包括：下绝缘膜，布置在基底上方并且具有非平坦表面，非平坦表面具有凹凸形状并且包括第一表面和至少一个第二表面，第一表面在与基底的前侧表面平行的水平方向上延伸，并且所述至少一个第二表面从第一表面朝向基底延伸；电容器，布置在下绝缘膜上以接触下绝缘膜的非平坦表面，并且沿着下绝缘膜的非平坦表面的轮廓共形地覆盖下绝缘膜的非平坦表面；上绝缘膜，覆盖电容器和下绝缘膜；以及至少一个空气间隙，具有在水平方向上面向下绝缘膜的所述至少一个第二表面的侧面，并且具有在垂直方向上由上绝缘膜限定的高度。

公开(公告)号：CN110993629A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910706919.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文柱盛 ,  白寅圭 ,  柳承翰 ,  林海敏 ,  郑旼姃 ,  崔津榕

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括：基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括：电容器结构，包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案；第一布线，在电容器结构上并连接到第二导电图案；以及第二布线，连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。

公开(公告)号：CN110993629B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910706919.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文柱盛 ,  白寅圭 ,  柳承翰 ,  林海敏 ,  郑旼姃 ,  崔津榕

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括：基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括：电容器结构，包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案；第一布线，在电容器结构上并连接到第二导电图案；以及第二布线，连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。

公开(公告)号：CN112054032A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010144855.7

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  金铉哲 ,  崔津榕

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 本公开提供一种图像传感器且所述图像传感器包括光电转换层、集成电路层及电荷存储层。光电转换层包括界定像素区的像素分隔结构，所述像素区中的每一像素区包括光电转换区。集成电路层从光电转换区读取电荷。电荷存储层包括用于所述多个像素区中的每一像素区的堆叠电容器。堆叠电容器包括：下部焊盘电极；中间焊盘电极；上部焊盘电极；接触塞，将上部焊盘电极连接到下部焊盘电极；下部电容器结构，连接在下部焊盘电极与中间焊盘电极之间；以及上部电容器结构，连接在中间焊盘电极与上部焊盘电极之间。上部电容器结构堆叠在下部电容器结构上以当在平面图中观察时与下部电容器结构局部地交叠。

公开(公告)号：CN111009538A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910927006.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔津榕 ,  林海敏 ,  文柱盛 ,  白寅圭 ,  柳承翰 ,  郑旼姃

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底中的光电转换层；在半导体衬底的第一表面上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极；在第一下电极和第二下电极上的介电层；在介电层上的上电极；以及连接到上电极并包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料的上焊盘电极。第一下电极在第一下焊盘电极上，并且第二下电极在第二下焊盘电极上。