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公开(公告)号：CN118231423A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311401362.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：第一光电二极管；第二光电二极管；第一转移晶体管，其连接到第一浮置扩散节点；第二转移晶体管，其连接到第二浮置扩散节点；第一复位晶体管，其被配置为利用第一复位电源电压复位所述第一浮置扩散节点；第二复位晶体管，其被配置为利用第二复位电源电压复位所述第二浮置扩散节点；开关晶体管，其将所述第二浮置扩散节点连接到所述第一浮置扩散节点；以及第一驱动晶体管，其被配置为根据所述第一浮置扩散节点的电压来输出输出电压。
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公开(公告)号：CN110072068B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811404209.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/616
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：光电转换器，响应于入射光产生电荷并且向第一节点提供产生的电荷；传输晶体管，基于第一控制信号向浮置扩散节点提供第一节点的电压；源跟随器晶体管，提供浮置扩散节点的电压作为单位像素输出；以及相关双采样器(CDS)，接收单位像素输出并且将单位像素输出转换为数字代码。在第一节点的电压提供到浮置扩散节点时与在CDS被提供作为单位像素输出的第一节点的电压时之间的时间段中，具有第一电压、第二电压和第三电压的第一控制信号保持在第二电压。
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公开(公告)号：CN115567790A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210618738.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林政昱
IPC: H04N25/70 , H04N25/705 , H01L27/146
Abstract: 提供了深度传感器和包括深度传感器的图像检测系统。深度传感器包括基于感测光生成图像信号的像素。所述像素包括：第一光电晶体管，基于在积分时段期间切换的第一光电栅极信号对第一电荷进行积分；第二光电晶体管，基于在积分时段期间切换的第二光电栅极信号对第二电荷进行积分；第一传输晶体管，基于第一传输栅极信号将第一电荷传输到第一浮置扩散节点；第二传输晶体管，基于第一传输栅极信号将第二电荷传输到第二浮置扩散节点；以及开关，与第一光电晶体管、第二光电晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管连接。
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公开(公告)号：CN110072068A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811404209.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：光电转换器，响应于入射光产生电荷并且向第一节点提供产生的电荷；传输晶体管，基于第一控制信号向浮置扩散节点提供第一节点的电压；源跟随器晶体管，提供浮置扩散节点的电压作为单位像素输出；以及相关双采样器(CDS)，接收单位像素输出并且将单位像素输出转换为数字代码。在第一节点的电压提供到浮置扩散节点时与在CDS被提供作为单位像素输出的第一节点的电压时之间的时间段中，具有第一电压、第二电压和第三电压的第一控制信号保持在第二电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695350B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN117637784A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311105087.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林政昱
IPC: H01L27/146 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/79
Abstract: 一种图像传感器包括：第一芯片，其包括具有多个像素的第一衬底和第一布线结构，多个像素中的每一个包括隔离的第一光电二极管和第二光电二极管；第二芯片，其包括第二布线结构和第二衬底；以及第三芯片，其包括第三布线结构和具有逻辑装置的第三衬底，其中，多个像素中的每一个包括第一光电二极管上的第一浮置扩散节点、第二光电二极管上的第二浮置扩散节点、第二光电二极管上的第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点之间的第三浮置扩散节点、和第二衬底上的第一开关晶体管，其中，第一开关晶体管通过第一布线结构和第二布线结构连接至第一浮置扩散节点，并且通过第一布线结构和第二布线结构连接至第三浮置扩散节点。
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公开(公告)号：CN111192888A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010004598.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN110035241A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811451035.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/341
Abstract: 公开一种图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换单元，被配置为接收光以产生电荷并将所述电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为响应于第一信号而将第一节点的电压电平提供给浮置扩散节点；升压器，被配置为响应于第二信号而增大浮置扩散节点的电压电平；源极跟随器晶体管，被配置为将浮置扩散节点的电压电平提供给第二节点；选择晶体管，被配置为响应于第三信号而将第二节点的电压电平提供给像素输出端。在选择晶体管被导通之后，升压器被启用，并且在转移晶体管被导通之前，升压器被禁用。
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公开(公告)号：CN108695350A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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