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公开(公告)号：CN110739320B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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公开(公告)号：CN101110439B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN111668245B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866531A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084827.0
申请日：2006-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3597 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的单元像素，其包括光电转换元件、转移晶体管、升压电容器和信号转移电路，其中，光电转换元件基于入射光产生电荷，转移晶体管响应转移控制信号将电荷转移到浮动扩散结点，升压电容器被放置在转移晶体管的栅极和浮动扩散结点之间，并且信号转移电路响应选择信号来转移浮动扩散结点的电势，并且浮动扩散结点的电势的动态范围可以加宽，转移晶体管的漏极－源极电压差可以增加，从而电荷转移效率可以提高。
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公开(公告)号：CN101110439A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN108695350B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN111192888A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010004598.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN110739320A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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