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公开(公告)号：CN101110439A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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公开(公告)号：CN110035242B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201811548357.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/76 , H04N25/78 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器中的像素阵列和图像传感器。像素阵列包括第一像素组。第一像素组包括单位像素，单位像素包括光电转换单元和被光电转换单元共享的第一信号产生单元。第一信号产生单元包括：转移晶体管，分别连接到光电转换单元；第一浮动扩散节点，连接到转移晶体管；多个驱动晶体管，连接到第一浮动扩散节点，并彼此并联连接；以及多个选择晶体管，在第一输出端子与多个驱动晶体管之间并联连接。第一输出端子输出分别与通过光电转换单元收集的光电荷对应的像素信号。多个选择晶体管的数量等于多个驱动晶体管的数量。
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公开(公告)号：CN100530669C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610006729.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37457
Abstract: CMOS有源像素传感器阵列包括多个单元块。单元块包括：在平面上在第一方向上设置的N对光电二极管区；分别对应于光电二极管区的2N个传输晶体管，其中每个传输晶体管形成于相应的光电二极管区的角部，且其中对于每对光电二极管区，两个相应的传输晶体管对称地彼此相对；N个浮置扩散节点，其中每个浮置扩散节点分别设置于一对光电二极管区之间，且其中每个浮置扩散节点由两个相应的传输晶体管和相应一对光电二极管区共用；耦合浮置扩散节点的至少一条金属线；用于复位浮置扩散节点的电压的复位晶体管；以及包括用于取样浮置扩散节点的至少一个晶体管的读出电路，其中复位晶体管和读出电路设置于该对光电二极管区之间。
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公开(公告)号：CN110035242A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811548357.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器中的像素阵列和图像传感器。像素阵列包括第一像素组。第一像素组包括单位像素，单位像素包括光电转换单元和被光电转换单元共享的第一信号产生单元。第一信号产生单元包括：转移晶体管，分别连接到光电转换单元；第一浮动扩散节点，连接到转移晶体管；多个驱动晶体管，连接到第一浮动扩散节点，并彼此并联连接；以及多个选择晶体管，在第一输出端子与多个驱动晶体管之间并联连接。第一输出端子输出分别与通过光电转换单元收集的光电荷对应的像素信号。多个选择晶体管的数量等于多个驱动晶体管的数量。
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公开(公告)号：CN103972258B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410041492.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/148
Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257033A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810095114.3
申请日：2008-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14689 , H01L31/035281
Abstract: 一种图像传感器包括光敏器件和用于从光敏器件中聚集的电荷产生电信号的驱动晶体管。该驱动晶体管包括第一导电类型的源区和与一部分源区相邻并且是与第一导电类型相反的第二导电类型的不对称结区。驱动晶体管被偏置以使不对称结区降低了驱动晶体管的有效沟道长度。
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公开(公告)号：CN1881600A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510126893.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。
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公开(公告)号：CN1828919A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006729.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37457
Abstract: CMOS有源像素传感器阵列包括多个单元块。单元块包括：在平面上在第一方向上设置的N对光电二极管区；分别对应于光电二极管区的2N个传输晶体管，其中每个传输晶体管形成于相应的光电二极管区的角部，且其中对于每对光电二极管区，两个相应的传输晶体管对称地彼此相对；N个浮置扩散节点，其中每个浮置扩散节点分别设置于一对光电二极管区之间，且其中每个浮置扩散节点由两个相应的传输晶体管和相应一对光电二极管区共用；耦合浮置扩散节点的至少一条金属线；用于复位浮置扩散节点的电压的复位晶体管；以及包括用于取样浮置扩散节点的至少一个晶体管的读出电路，其中复位晶体管和读出电路设置于该对光电二极管区之间。
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公开(公告)号：CN101677106B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN101110439B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710128377.5
申请日：2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块，每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括：两个具有六边形形状的光电二极管；由两个单元像素共享的浮置扩散；分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管；连接到浮置扩散的重置晶体管；栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管；和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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