公开(公告)号：CN103972258B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410041492.9

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李浚泽 ,  郑相日 ,  金利泰 ,  梁云弼

IPC: H01L27/148

Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

公开(公告)号：CN102024832A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010276899.1

申请日：2010-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李廷好 ,  郑相日

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明公开了一种抗反射图像传感器。提供了抗反射图像传感器及制造方法，该传感器包括：衬底；第一颜色传感像素，设置在衬底中；第二颜色传感像素，设置在衬底中；第三颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层的部分上覆盖第一或第二颜色传感像素的至少之一，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。

公开(公告)号：CN103972258A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410041492.9

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李浚泽 ,  郑相日 ,  金利泰 ,  梁云弼

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

公开(公告)号：CN1913103A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610128572.3

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟采 ,  李德珉 ,  郑相日 ,  洪钟郁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。

公开(公告)号：CN115642164A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210780384.8

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  金度勋 ,  金锡钟 ,  朴性奎 ,  郑相日

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括多个光电二极管；滤色器阵列，其具有多个滤色器；以及水平绝缘层，其设置在基板和滤色器阵列之间，并且水平绝缘层仅由不包括硅并且介电常数高于氧化硅的介电常数的高K介电材料形成，并且水平绝缘层具有等于或大于300埃并且等于或小于1000的厚度。

公开(公告)号：CN100452292C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610128572.3

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟采 ,  李德珉 ,  郑相日 ,  洪钟郁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。

公开(公告)号：CN1085373A

公开(公告)日：1994-04-13

申请号：CN93117244.6

申请日：1993-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑相日 ,  李承雨

IPC: H04N5/225

CPC classification number: H04N5/23248 ,  H04N5/2175 ,  H04N5/23254 ,  H04N5/2327 ,  H04N5/3415 ,  H04N5/3595 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种消除电荷耦合器件型照相机中涂污噪声的方法、包括从一对CCD拾像装置输入各自的图像信号及比较相应象元的这一对图像信号之后消除涂污噪声。所述一对CCD拾像装置相应的垂直CCDs20的长度方向相互垂直，并设置在一个光学通路上。该方法使用一对CCD拾像装置200，互相比较两CCD拾像装置的图像信号。可以消除产生了涂污噪声，获得高质量的图像信号。