公开(公告)号：CN100452292C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610128572.3

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟采 ,  李德珉 ,  郑相日 ,  洪钟郁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。

公开(公告)号：CN1913103A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610128572.3

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟采 ,  李德珉 ,  郑相日 ,  洪钟郁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种形成MIM电容器的电介质层的方法，其包括在MIM电容器的电介质层上形成钝化层，以防止电介质层直接接触叠加的光敏抗蚀剂图案。还公开了有关的电容器结构。