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公开(公告)号：CN100591090C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610121253.X
申请日：2006-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 浅羽哲朗
IPC: H04N3/15 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/361
Abstract: 一种图像传感器的像素电路，包括光电转换单元，如光电二极管，用于从入射光产生电荷。所述像素电路还包括电荷存储电容，用于存储由光电转换单元产生的电荷。所述像素电路还包括浮动扩散结点，在复位之后接收来自电荷存储单元的电荷。从而，在所述像素电路产生复位信号VRES之后，产生图像信号VSIG。
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公开(公告)号：CN1897640A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610121253.X
申请日：2006-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 浅羽哲朗
IPC: H04N3/15 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/361
Abstract: 一种图像传感器的像素电路，包括光电转换单元，如光电二极管，用于从入射光产生电荷。所述像素电路还包括电荷存储电容，用于存储由光电转换单元产生的电荷。所述像素电路还包括浮动扩散结点，在复位之后接收来自电荷存储单元的电荷。从而，在所述像素电路产生复位信号VRES之后，产生图像信号VSIG。
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公开(公告)号：CN101236981B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710305205.0
申请日：2007-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 浅羽哲朗
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H04N2209/045 , H04N2209/046
Abstract: 本发明公开了一种彩色图像传感器，该传感器包括具有变化的颜色特性的像素。像素之一为青色型像素，该青色型像素中包括主光探测器和次光探测器。主光探测器相邻于构造为接收入射到其上的可见光的半导体衬底表面的一部分延伸。次光探测器掩埋在半导体衬底中。次光探测器构造为接收从主光探测器穿过的可见光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101236981A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710305205.0
申请日：2007-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 浅羽哲朗
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H04N2209/045 , H04N2209/046
Abstract: 本发明公开了一种彩色图像传感器，该传感器包括具有变化的颜色特性的像素。像素之一为青色型像素，该青色型像素中包括主光探测器和次光探测器。主光探测器相邻于构造为接收入射到其上的可见光的半导体衬底表面的一部分延伸。次光探测器掩埋在半导体衬底中。次光探测器构造为接收从主光探测器穿过的可见光。
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公开(公告)号：CN1881600A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510126893.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。
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公开(公告)号：CN1649164A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005829.1
申请日：2005-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 浅羽哲朗
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/23241 , H01L27/14806 , H01L27/14812 , H04N5/37213 , H04N5/3728
Abstract: 提供了一种用来减少功耗的固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备包含多个像素、多个垂直传送器、以及多个输出单元。所述多个像素存储与输入其上的光量成正比的信号电荷。所述多个垂直传送器接收在像素中存储的信号电荷，并且传送该信号电荷。所述多个输出单元分别相应于所述多个垂直传送器，将从相应垂直传送器输出的信号电荷转换为信号电压，并且输出该信号电压。每个输出单元包含浮动扩散层与放大器。所述浮动扩散层将从相应垂直传送器传送来的信号电荷转换为信号电压。所述放大器放大从浮动扩散层输出的信号电压，并且输出该信号电压。该固态图像拾取设备不包括水平传送器，并且将垂直传送器直接连接到输出单元，由此减少工作电压。作为结果，可以减少固态图像拾取设备的功耗。
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公开(公告)号：CN1893542B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610121410.7
申请日：2006-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N5/3741
Abstract: 图像传感器的像素电路包括浮置扩散节点和复位晶体管。该复位晶体管耦合在该图像传感器的该浮置扩散节点和另一像素电路的复位控制信号节点之间。施加到该另一像素电路的复位控制信号节点的电压是通过复位晶体管传送给浮置扩散节点的复位电压。
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公开(公告)号：CN1893542A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610121410.7
申请日：2006-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N5/3741
Abstract: 图像传感器的像素电路包括浮置扩散节点和复位晶体管。该复位晶体管耦合在该图像传感器的该浮置扩散节点和另一像素电路的复位控制信号节点之间。施加到该另一像素电路的复位控制信号节点的电压是通过复位晶体管传送给浮置扩散节点的复位电压。
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