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公开(公告)号：CN110970452B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/702 , H04N25/705
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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公开(公告)号：CN114089345A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110886269.4
申请日：2021-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/08 , G01S17/26 , G01S17/32 , G01S17/894
Abstract: 一种方法基于交叉时间偏移来测量飞行时间(ToF)传感器和对象之间的距离。ToF传感器包括至少一个深度像素和用于将发射光引导到对象的光源。深度像素可以具有多抽头结构并且可以基于接收光和具有不同相位的解调信号来生成采样数据。接收光与从对象反射的发射光相对应。该方法包括：在发射光和解调信号之间生成时间偏移；执行采样操作以生成与时间偏移相对应的采样数据；基于第一参考抽头的采样数据基本上等于第二参考抽头的采样数据来确定交叉时间偏移；以及基于交叉时间偏移来确定ToF传感器和对象之间的距离。
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公开(公告)号：CN112118404A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN112083439A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010221083.2
申请日：2020-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/894
Abstract: 公开了一种包括像素的深度传感器。所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。
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公开(公告)号：CN117133783A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310560074.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底具有多个单位像素；设置在所述衬底中并且构成所述多个单位像素的光电器件部分和存储器件部分；器件隔离结构，所述器件隔离结构设置在所述衬底中并且将所述多个单位像素分开；以及溢出栅极，所述溢出栅极根据特定电压在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间提供溢出路径，其中，所述器件隔离结构在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间的边界处部分地敞开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627946A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010122853.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 图像传感器包括偏振器阵列和深度像素阵列。偏振器阵列可包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素，并且可包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中的偏振光栅。第一单位像素至第四单位像素的偏振光栅可具有彼此不同的偏振方向。深度像素阵列可包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素。深度像素中的每一个可包括光电转换装置和共同连接至光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。
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公开(公告)号：CN112118404B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/705
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN111668245A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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公开(公告)号：CN111668245B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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公开(公告)号：CN110970452A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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