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公开(公告)号：CN117641890A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310920152.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种制造集成电路器件的方法，包括：制备具有有源区和场区的半导体衬底；在所述半导体衬底上顺序地形成下绝缘层、掩埋层、第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层；去除所述第三牺牲层的一部分以形成第一牺牲图案；去除所述第二牺牲层的一部分和所述第一牺牲图案以形成第二牺牲图案；去除所述第一牺牲层的一部分和所述第二牺牲图案以形成第三牺牲图案；去除所述掩埋层的一部分和所述第三牺牲图案以形成掩埋图案；以及通过使用所述掩埋图案作为蚀刻掩模来去除所述下绝缘层的一部分和所述半导体衬底的一部分以形成字线沟槽。
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公开(公告)号：CN110277453A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN109427783A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810253757.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN108091653A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1108 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L27/092 , H01L21/823878
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110277453B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110120421B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201811311021.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。
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公开(公告)号：CN108091653B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107799597B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN110491931A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910384996.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。
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公开(公告)号：CN110416304A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910052730.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍式图案，在基底上沿第一方向延伸；场绝缘层，位于基底上，场绝缘层包围鳍式图案的侧壁；栅电极，位于鳍式图案上，栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一分隔件，位于栅电极的下部的侧壁上；以及蚀刻停止层，沿栅电极的上部的侧壁和上表面延伸，沿第一分隔件的侧壁延伸，并且沿场绝缘层的上表面延伸。
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