公开(公告)号：CN108695378A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810289668.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权台纯 ,  李正允 ,  池雅凛 ,  闵庚石 ,  成金重

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78618 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。

公开(公告)号：CN110120421B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201811311021.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  林青美 ,  李正允 ,  池雅凛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。

公开(公告)号：CN110491931A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910384996.3

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  林青美 ,  成金重 ,  吴怜默 ,  李正允 ,  池雅凛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。

公开(公告)号：CN108695378B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201810289668.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权台纯 ,  李正允 ,  池雅凛 ,  闵庚石 ,  成金重

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。

公开(公告)号：CN110120421A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201811311021.X

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  林青美 ,  李正允 ,  池雅凛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。