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公开(公告)号：CN107785430B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710641779.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
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公开(公告)号：CN108461494B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201810087764.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。
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公开(公告)号：CN109427783A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810253757.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN108091653A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1108 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L27/092 , H01L21/823878
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110120421B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201811311021.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091653B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107799597B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN110491931A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910384996.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。
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公开(公告)号：CN110120421A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811311021.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。
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公开(公告)号：CN107799597A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0611 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/42356
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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