公开(公告)号：CN108461494B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN108461494A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10 ,  H01L29/0653 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。