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公开(公告)号：CN110189987B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910119654.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。
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公开(公告)号：CN107799597B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN107799597A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0611 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/42356
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN107785430B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710641779.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110189987A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910119654.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。
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公开(公告)号：CN108074975A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711120568.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够改善操作性能和可靠性的半导体器件，该半导体器件可以包括用于隔离在长度方向上相邻的栅电极的栅极绝缘支撑物。该半导体器件包括：在基板上的第一栅结构，第一栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第一栅极间隔物；在基板上的第二栅结构，第二栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第二栅极间隔物，其中第二栅结构的第一短侧面对第一栅结构的第一短侧；以及栅极绝缘支撑物，设置在第一栅结构的第一短侧和第二栅结构的第一短侧之间并在不同于第一方向的第二方向上纵向地延伸，栅极绝缘支撑物在第二方向上的长度大于第一栅结构和第二栅结构的每个在第二方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN108231765B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201711394204.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
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公开(公告)号：CN108231765A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711394204.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
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公开(公告)号：CN107785430A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710641779.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/7855 , H01L29/4232 , H01L29/66484 , H01L29/66795 , H01L29/7853
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
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