公开(公告)号：CN108109967A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711332278.9

申请日：2013-12-16

申请人： 意法半导体公司

发明人： J·H·张

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/845 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11213 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。

公开(公告)号：CN104701297B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310652962.0

申请日：2013-12-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 余云初 ,  沈忆华

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545

摘要： 一种互连结构，包括：基底；位于所述基底表面的第一互连部件和第二互连部件，所述第一互连部件具有第一接触区，所述第二互连部件具有对应的第二接触区；位于所述第一互连部件、第二互连部件之间的层间介质层；位于所述层间介质层内的互连线层，所述互连线层分别连接第一接触区和第二接触区，实现第一互连部件和第二互连部件的电连接。所述互连线层位于层间介质层内，有效缩短了信号从第一互连部件的第一接触区传输到第二互连部件的第二接触区的距离，简化了互连结构，减小了互连结构的总体厚度，进而提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN107424998A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710317887.0

申请日：2017-05-08

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坪井信生

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1207 ,  G11C11/412 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66772 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。能够提高半导体器件的特性。半导体器件构成为具有SOI衬底、在活性区域上隔着栅极绝缘膜(GI1)形成的栅电极(GE1)、和在元件分离区域形成的虚拟栅电极(DGE1)，该SOI衬底具有活性区域和元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)。在虚拟栅电极(DGE1)的两侧形成虚拟侧壁膜(DSW)，该侧壁膜以与活性区域与元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)的边界一致或重叠的方式配置。根据所述构成，即便在接触孔(C1)偏移形成的情况下，也能够防止插塞(P1)形成得较深而到达例如绝缘层(BOX)、支撑衬底(SB)。

公开(公告)号：CN106340516A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610524792.1

申请日：2016-07-05

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坪井信生

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/1108 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。可减小半导体器件的大小。所述半导体器件具有：第一导电类型的p型阱层，其在半导体衬底的主表面的X方向上延伸；参考电势布线，其与p型阱层耦合，并且在X方向上延伸；第一有源区和第二有源区，其布置在Y方向上的参考电势布线的两侧上；以及栅电极层，其以与第一有源区和第二有源区交叉的方式在Y方向上延伸。然后，栅电极层具有在与第一有源区的交叉部分处的第二导电类型的第一栅电极、在与第二有源区的交叉部分处的第二导电类型的第二栅电极、第一栅电极和第二栅电极之间的未掺杂电极。

公开(公告)号：CN102656690B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080059046.0

申请日：2010-12-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1255 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/26 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。

公开(公告)号：CN102668062B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080047983.4

申请日：2010-10-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

摘要： 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。

公开(公告)号：CN102612741B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080049931.0

申请日：2010-10-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C11/24 ,  G11C11/405 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

摘要： 目的在于提供一种具有新型结构的半导体装置。包括：第一配线；第二配线；第三配线；第四配线；第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第一晶体管布置在包括半导体材料的衬底上方并且第二晶体管包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN103855097A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310165080.1

申请日：2013-05-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖忠志

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1108 ,  H01L2924/0002 ,  H01L23/5386 ,  H01L21/76879 ,  H01L27/1104 ,  H01L2924/00

摘要： 一种方法包括在SRAM单元的一部分上方形成介电层。该SRAM单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、以及分别连接至第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的漏极和第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的漏极的第一传输门晶体管和第二传输门晶体管。在介电层上方形成第一掩模层并对其进行图案化。在介电层上形成第二掩模层并对其进行图案化。将第一掩模层和第二掩模层结合起来用作蚀刻掩模来蚀刻介电层，其中，在介电层中形成接触件开口。在接触件开口中形成接触塞。本发明还提供了SRAM单元中的接触塞及其形成方法。

公开(公告)号：CN103854697A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310167326.9

申请日：2013-05-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖忠志

IPC分类号： G11C11/413

CPC分类号： G11C11/412 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1108

摘要： 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器单元。一种静态随机存取存储(SRAM)单元包括与第一方向平行的第一长边界和第二长边界，以及与第二方向平行的第一短边界和第二短边界，其中，第二方向与第一方向垂直。第一长边界和第二长边界比第一短边界和第二短边界长并且与第一短边界和第二短边界形成矩形。传送VSS电源电压的CVss线穿越第一长边界和第二边界。CVss线与第二方向平行。位线和位线条位于CVss线的相对侧上。位线和位线条被配置成用于传送互补位线信号。本发明还提供了包括FinFET的SRAM单元。

公开(公告)号：CN102812547A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180014594.6

申请日：2011-03-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  长塚修平

IPC分类号： H01L21/8242 ,  C23C14/08 ,  G11C11/405 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1108 ,  G11C16/0408 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/60

摘要： 本发明提供一种具有新结构的半导体装置，其中甚至在没有提供电力时也能够保存已存储数据，并且写入次数不受限制。该半导体包括第一晶体管之上的第二晶体管和电容器。电容器包括第二晶体管的源或漏电极和栅绝缘层以及覆盖第二晶体管的绝缘层之上的电容器电极。第二晶体管的栅电极和电容器电极隔着绝缘层至少部分相互重叠。通过使用不同层来形成第二晶体管的栅电极和电容器电极，半导体装置的集成度能够得到提高。