公开(公告)号：CN108133934B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810063223.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/764

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

公开(公告)号：CN103426731B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310181367.3

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  金明哲 ,  郑明勋

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供了利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法能够通过如下提供：形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉非金属的第一间隔部分。下目标层能够利用该掩模图案被蚀刻。

公开(公告)号：CN1465945A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02158409.5

申请日：2002-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在昇 ,  金明哲 ,  金润英 ,  林苍鹤

IPC: F25D11/02 ,  F25D29/00

CPC classification number: F25D29/008 ,  F25B2321/021 ,  F25B2321/0211 ,  F25B2500/06

Abstract: 一种冰箱包括至少一个用于容纳化妆品的储藏室。该冰箱进一步包括一用于使容纳在储藏室内的化妆品保持在合适温度的电部分，一用于控制检测并显示该电部分故障操作的控制装置，和一用于显示故障检测结果的显示单元。

公开(公告)号：CN108538786A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710943288.X

申请日：2017-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣敏喆 ,  金明哲 ,  申暻燮

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/823807 ,  G06F7/505 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/84 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在制造半导体装置的方法中，在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片。第一有源鳍片至第三有源鳍片中的每一个在第一方向上延伸，且第二有源鳍片、第一有源鳍片及第三有源鳍片在第二方向上以此顺序设置，第二方向与第一方向交叉。使用第一蚀刻掩模来移除第二有源鳍片，第一蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及第三有源鳍片。使用第二蚀刻掩模来移除第三有源鳍片，第二蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及衬底的被移除第二有源鳍片的一部分。在第一有源鳍片上形成第一栅极结构。在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。本发明的半导体装置可具有高的集成度及小的面积。

公开(公告)号：CN103485126B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310225275.0

申请日：2013-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成振 ,  裵日成 ,  赵霞延 ,  金明哲 ,  金声钟 ,  李武炯 ,  明官柱 ,  赵世镇

IPC: D06F37/20 ,  D06F33/02

CPC classification number: D06F37/203 ,  D06F37/225 ,  Y10T74/2109

Abstract: 本发明公开了一种具有平衡器的洗衣机及其控制方法，该洗衣机具有能够将电能从外部电源传输到平衡模块的平衡器壳体。所述洗衣机包括：旋转内筒；以及抵消在旋转内筒中产生的不平衡负载的平衡器。所述平衡器包括安装到旋转内筒上的平衡器壳体；以及具有在平衡器壳体内侧移动的移动单元的平衡模块。所述平衡器壳体包括沿着平衡器壳体的圆周方向设置在其内表面上以将电能传输至平衡模块的移动单元的电极；电连接到电极以便将电能从外部电源施加到电极的电线；以及设置在平衡器壳体的外表面上以便电连接电线和电极的连接器。

公开(公告)号：CN105006483A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510194427.4

申请日：2015-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李馥英 ,  李正允 ,  金东贤 ,  金明哲 ,  韩东佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN103442799A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180064586.2

申请日：2011-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 竹之下一利 ,  宫本诚 ,  弓削政郎 ,  熊谷悠纪 ,  中山阳子 ,  野岛秀雄 ,  金明哲

IPC: B01J19/08 ,  A61L9/22 ,  H05H1/24

CPC classification number: A61L9/015 ,  A61L9/22 ,  A61L2209/212 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2245/121

Abstract: 本发明的目的在于在增加活性物种的产生量的同时抑制臭氧产生。等离子体发生装置（100）包括：一对电极（21，22），在其至少一个相对的面上设置有介电膜（21a、21b）；电压施加单元（4），将脉冲电压施加在电极（21、22）之间以使等离子体放电；流体流通孔（21b、22b），分别设置在与电极（21、22）对应的位置中，并且被构造为完全穿过电极（21、22）。等离子体发生装置还被构造为使得穿过流体流通孔（21b、22b）的流体与等离子体接触，产生离子或自由基，其中，电压施加单元（4）改变施加在电极（21、22）两端的脉冲电压的峰值和/或脉冲宽度。

公开(公告)号：CN103426731A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181367.3

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  金明哲 ,  郑明勋

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3088 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供了利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法能够通过如下提供：形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉非金属的第一间隔部分。下目标层能够利用该掩模图案被蚀刻。

公开(公告)号：CN103151456A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210523694.8

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学善 ,  渡嘉敷健 ,  金明哲 ,  权亨峻 ,  李相旻 ,  李佑澈 ,  郑明勋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  B81C1/00531 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/228 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。