公开(公告)号：CN108133934B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810063223.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/764

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

公开(公告)号：CN112420690B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202010847744.2

申请日：2020-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庸淏 ,  崔贤宇 ,  姜世求 ,  丁美釐

IPC: H10D89/10 ,  H10D62/10 ,  H10D30/00

Abstract: 本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。该制造半导体器件的方法包括：在基板的第一有源鳍上形成垂直间隔开的第一有源图案以及在基板的第二有源鳍上形成垂直间隔开的第二有源图案，该基板具有在其上形成第一有源鳍的第一区域和在其上形成第二有源鳍的第二区域；在第一有源鳍和第二有源鳍以及第一有源图案和第二有源图案上形成第一电极层；在第一区域上形成与第一电极层重叠的第一掩模图案；在第二区域上形成与第一电极层重叠的第二掩模图案；以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻在第一区域上的第一掩模图案和第一电极层以在第二区域上形成第一电极图案。

公开(公告)号：CN103633127A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310345516.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211 ,  H01L27/1104 ,  H01L21/28 ,  H01L29/42364

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

公开(公告)号：CN112420690A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010847744.2

申请日：2020-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庸淏 ,  崔贤宇 ,  姜世求 ,  丁美釐

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。该制造半导体器件的方法包括：在基板的第一有源鳍上形成垂直间隔开的第一有源图案以及在基板的第二有源鳍上形成垂直间隔开的第二有源图案，该基板具有在其上形成第一有源鳍的第一区域和在其上形成第二有源鳍的第二区域；在第一有源鳍和第二有源鳍以及第一有源图案和第二有源图案上形成第一电极层；在第一区域上形成与第一电极层重叠的第一掩模图案；在第二区域上形成与第一电极层重叠的第二掩模图案；以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻在第一区域上的第一掩模图案和第一电极层以在第二区域上形成第一电极图案。

公开(公告)号：CN108133934A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810063223.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

公开(公告)号：CN103633127B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310345516.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。