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公开(公告)号：CN103811513B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN103579496A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310308784.X
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/1659 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。
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公开(公告)号：CN103151457B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201210524179.1
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23F1/12 , C23F1/02 , C23F4/00 , G11B5/3163 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。
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公开(公告)号：CN104051609A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095275.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811513A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN103151456A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210523694.8
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B81C1/00531 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , H01L21/3065 , H01L27/228 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。
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公开(公告)号：CN105826463B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610037265.8
申请日：2016-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。
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公开(公告)号：CN104183551B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410217159.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层；执行选择性氧化工艺，以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面没有被氧化；以及经由第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。一种半导体器件可以包括在衬底上的下电极；数据存储部件，在下电极的上表面上；上电极，在数据存储部件上；以及覆盖氧化物层，布置在上电极的上表面的至少一部分上。覆盖氧化物层可以包括通过上电极的上表面的氧化而形成的氧化物。
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公开(公告)号：CN103579496B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310308784.X
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/1659 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。
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