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公开(公告)号：CN106972098A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610900409.8
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
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公开(公告)号：CN103811513A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN1921522A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121568.4
申请日：2006-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/72583 , H04M2250/60
Abstract: 本发明涉及一种在移动通信终端中提供用户界面的方法。当副体处于打开位置时，在显示单元上显示第一菜单的功能。当按下功能执行键时，执行所述功能。当按下菜单转换键时，移动到下一个菜单，并且显示下一个菜单中存储的内容中的一个内容。
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公开(公告)号：CN104051613B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811513B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN104051613A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
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