公开(公告)号：CN103151456B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201210523694.8

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学善 ,  渡嘉敷健 ,  金明哲 ,  权亨峻 ,  李相旻 ,  李佑澈 ,  郑明勋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。

公开(公告)号：CN103811513B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201310538289.8

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  吴世忠 ,  V.尤拉齐夫 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  徐载训 ,  李相旻

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。

公开(公告)号：CN103578975A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310308562.8

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤

IPC: H01L21/3213 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供蚀刻金属层的方法和用所蚀刻的金属层制造半导体器件的方法。包括金属层和金属层上的掩模层的晶片可以被装载到处理腔室中。蚀刻气体可以被供应到处理腔室中以蚀刻被掩模层暴露的金属层。在蚀刻工艺之后，掩模层可以被去除。蚀刻气体可以包括磷（P）和氟（F）。RF功率可以被连续地或选择性地供应到处理腔室，或者不同电平的RF功率可以被选择性地供应。蚀刻气体可以在RF功率断开或处于低电平时被供应到处理腔室。表面活化气体可以在RF功率导通或处于高电平时被供应。

公开(公告)号：CN103151457A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。

公开(公告)号：CN103151457B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC classification number: C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。

公开(公告)号：CN103811513A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310538289.8

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  吴世忠 ,  V.尤拉齐夫 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  徐载训 ,  李相旻

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。

公开(公告)号：CN103151456A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210523694.8

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学善 ,  渡嘉敷健 ,  金明哲 ,  权亨峻 ,  李相旻 ,  李佑澈 ,  郑明勋

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  B81C1/00531 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/228 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。