公开(公告)号：CN103811513A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310538289.8

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  吴世忠 ,  V.尤拉齐夫 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  徐载训 ,  李相旻

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。

公开(公告)号：CN103811513B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201310538289.8

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权亨峻 ,  吴世忠 ,  V.尤拉齐夫 ,  渡嘉敷健 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  徐载训 ,  李相旻

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。