公开(公告)号：CN109716506B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880002930.7

申请日：2018-03-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 广庭大辅 ,  栗本孝志 ,  植田昌久

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  C25D5/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

摘要： 本发明的一形态为一种电子部件的制造方法，在基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成由有机树脂层构成的掩模；使用含氟的反应气体经由所述掩模对所述第二金属层进行等离子蚀刻，从而在所述有机树脂层和所述第二金属层的层压膜上形成凹部；对所述凹部的内部表面进行氧灰化处理，并在进行了所述氧灰化处理后，通过电解电镀处理在所述凹部内形成第三金属层。

公开(公告)号：CN116313783B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310520593.3

申请日：2023-05-10

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 高攀 ,  牛景达

IPC分类号： H01L21/3213 ,  C23F1/12 ,  C23F1/02

摘要： 本申请提供了一种金属的刻蚀方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括依次层叠的衬底、第一隔离层、金属层以及第二隔离层；然后，去除部分第二隔离层、部分金属层以及部分第一隔离层，使得部分第一隔离层裸露，形成凹槽以及位于凹槽的侧壁上的聚合物层，去除部分金属层采用的刻蚀气体至少包括以下之一：乙烯、甲烷。该方法通过在刻蚀气体中加入乙烯或者甲烷，乙烯或者甲烷在高温高压下可与光阻发生聚合反应，生成聚合物，附着在凹槽的侧壁上聚合物可以避免凹槽的侧壁在刻蚀过程中被侵蚀导致侧壁粗糙而影响半导体器件的性能，进而解决了现有技术中金属刻蚀后的凹槽的侧壁粗糙而导致半导体性能较差的问题。

公开(公告)号：CN116607092A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310533621.5

申请日：2023-05-12

申请人： 广西科学院

发明人： 唐杰 ,  王仲民 ,  甘伟江 ,  熊图治 ,  赖华俊 ,  黄永辉 ,  王凤 ,  邓健秋

IPC分类号： C22F1/10 ,  H01M4/80 ,  H01M4/78 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525 ,  C22F1/02 ,  C23F1/12 ,  C23C8/10

摘要： 本发明属于新能源材料技术领域，具体涉及一种泡沫镍电极活性材料的预活化方法及其应用。将泡沫镍材料清洗后，依次在Ar/NH3气氛和空气氛围下梯度退火处理，即可得到活化后的泡沫镍电极材料。本发明制备的活化后的泡沫镍电极材料具有表面疏松多孔的结构特征，增加了电极材料的比表面积，因而增大了与电解液的接触面积，有利于离子的传输，增加离子活性位点，缩短离子的扩散路径，提高了材料的电化学性能。本发明提出基于泡沫镍电极材料的预活化方法具有通用性，且方法简单、技术成本低，活化效果明显，对性能提升显著，所得泡沫镍电极材料性能优异，且具有非常好的稳定性，适宜工业化大规模生产，可广泛应用于锂离子电池电极、电催化电极基体领域。

公开(公告)号：CN116364534A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202111627763.5

申请日：2021-12-28

申请人： 华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 何元浩

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12

摘要： 本发明提供一种GaN基器件欧姆接触的制备方法，包括：提于衬底上形成GaN基外延结构；于GaN基外延结构上形成绝缘层，并进行图形化；于绝缘层上沉积金属层；于金属层上形成光阻层，并进行图形化；采用干法刻蚀工艺去除未被光阻层遮挡的金属层，剩余金属层形成为欧姆接触金属；去除光阻层；采用低功率干法刻蚀处理金属表面，去除欧姆接触金属预设厚度，其中，采用的参数为：采用含氯气体；偏压功率介于0W～25W之间，不包括0W；源功率介于400W～750W之间；对欧姆接触金属进行退火工艺，形成欧姆接触。通过在干法刻蚀形成欧姆接触金属后对该欧姆接触金属采用低功率干法刻蚀处理金属表面，有效提高欧姆接触金属的纯度，进而在退火后提高形成的欧姆接触的电性能。

公开(公告)号：CN111587301A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880086090.7

申请日：2018-12-06

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： S·马约尼

IPC分类号： C23C28/00 ,  H01L41/083 ,  H01L41/331 ,  H01L41/332 ,  H01L41/35 ,  C23F1/12

摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械层结构的方法，包括以下步骤：-提供第一保护层，其中，第一保护层结构化有至少一个进口，该进口填充以牺牲层材料，-将包括至少一个功能层的功能层-层结构施加到第一保护层上，-在功能层-层结构中通向第一保护层的至少一个进口地制造第一进口，使得在功能层-层结构中的第一进口的宽度在功能层-层结构的层的至少一个层中大于或等于第一保护层的至少一个进口的宽度，-将第二保护层施加到功能层-层结构上，使得第一进口填充以第二保护层的材料，-使第二保护层和填充的第一进口结构化有通向第一保护层的第二进口，其中，第二进口具有等于或小于第一进口的宽度，使得在第二进口的宽度较小的情况下第二进口的壁通过第二保护层的材料形成，-移除至少在第一保护层的进口中的牺牲层材料，并且-移除至少在第二进口中的保护层材料。

公开(公告)号：CN107507770B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201710464689.7

申请日：2017-06-19

申请人： 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

发明人： 尚飞 ,  冯晓芳

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/12

摘要： 本申请提出了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料刻蚀方法，该方法包括，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀腔中的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料进行刻蚀，其中，所述刻蚀混合气体包括，甲烷、氢气、氩气以及氯基气体，所述刻蚀混合气体中各所述气体的体积比为，甲烷：氢气：氩气：氯基气体＝1:3:1:1～1：3:2：3。本申请提出的刻蚀方法可以实现在50℃的环境下对Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料进行刻蚀深度为10μm的深度刻蚀。

公开(公告)号：CN107507770A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710464689.7

申请日：2017-06-19

申请人： 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

发明人： 尚飞 ,  冯晓芳

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/12

摘要： 本申请提出了一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料刻蚀方法，该方法包括，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀腔中的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料进行刻蚀，其中，所述刻蚀混合气体包括，甲烷、氢气、氩气以及氯基气体，所述刻蚀混合气体中各所述气体的体积比为，甲烷：氢气：氩气：氯基气体＝1:3:1:1～1：3:2：3。本申请提出的刻蚀方法可以实现在50℃的环境下对Ⅲ-Ⅴ族半导体材料进行刻蚀深度为10μm的深度刻蚀。

公开(公告)号：CN103151457B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201210524179.1

申请日：2012-12-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李佑澈 ,  渡嘉敷健 ,  权亨峻 ,  郑明勋

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  C23F1/12

CPC分类号： C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 一种制造磁性器件的方法包括：形成层叠结构，该层叠结构包括磁性层；通过使用蚀刻气体蚀刻该层叠结构，该蚀刻气体包括按体积计的至少80%的H2气体。

公开(公告)号：CN106148960A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610718552.5

申请日：2016-08-24

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 余洪涛

IPC分类号： C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23F1/12 ,  C23F1/02 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

摘要： 本发明提供一种铝蚀刻的方法，通过调节干蚀刻制程中蚀刻腔体内的温度和压力条件，使得氯化铝保持气体状态，减少氯化铝颗粒的生成，抽气后蚀刻腔体内氯化铝的残留量很小，从而降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生；或者通过在干蚀刻制程之后氟‑氯置换制程之前，增加气体冲洗步骤，降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生；又或者通过在干蚀刻制程之前增加蚀刻腔体的清洁步骤，降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生，以上三种方法均可减少蚀刻腔体内含铝颗粒物的含量，使得干蚀刻制程中颗粒物掉落于待蚀刻膜层上的概率减少，解决了线路蚀刻残留和短路的问题，提高产品良率。

公开(公告)号：CN106024617A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510569363.1

申请日：2015-09-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪雨利 ,  孔德明 ,  陈志壕 ,  陈科维 ,  王英郎 ,  张宏睿 ,  曾鸿輝

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/12

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/12

摘要： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。