公开(公告)号：CN109716506B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880002930.7

申请日：2018-03-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广庭大辅 ,  栗本孝志 ,  植田昌久

IPC: H01L21/768 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  C25D5/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明的一形态为一种电子部件的制造方法，在基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成由有机树脂层构成的掩模；使用含氟的反应气体经由所述掩模对所述第二金属层进行等离子蚀刻，从而在所述有机树脂层和所述第二金属层的层压膜上形成凹部；对所述凹部的内部表面进行氧灰化处理，并在进行了所述氧灰化处理后，通过电解电镀处理在所述凹部内形成第三金属层。

公开(公告)号：CN101689496A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200780036833.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  石川道夫 ,  邹红罡 ,  余吾锐哉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种防止处理效率下降的灰化装置。喷板(31)朝向保持基底(W)的基底台(20)，并且使供给至腔室(11)的氧自由基扩散。设在喷板(31)和基底台(20)之间的金属阻挡板(34)包括氧自由基穿过的通孔(41)。金属阻挡板的朝向基底(W)的表面上还包括第一层(34b)，所述第一层由与从所述基底曝露的金属种类相同的金属构成。

公开(公告)号：CN101689496B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780036833.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  石川道夫 ,  邹红罡 ,  余吾锐哉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种防止处理效率下降的灰化装置。喷板(31)朝向保持基底(W)的基底台(20)，并且使供给至腔室(11)的氧自由基扩散。设在喷板(31)和基底台(20)之间的金属阻挡板(34)包括氧自由基穿过的通孔(41)。金属阻挡板的朝向基底(W)的表面上还包括第一层(34b)，所述第一层由与从所述基底曝露的金属种类相同的金属构成。

公开(公告)号：CN101568998A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。

公开(公告)号：CN109716506A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201880002930.7

申请日：2018-03-22

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广庭大辅 ,  栗本孝志 ,  植田昌久

IPC: H01L21/768 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  C25D5/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明的一形态为一种电子部件的制造方法，在基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成由有机树脂层构成的掩模；使用含氟的反应气体经由所述掩模对所述第二金属层进行等离子蚀刻，从而在所述有机树脂层和所述第二金属层的层压膜上形成凹部；对所述凹部的内部表面进行氧灰化处理，并在进行了所述氧灰化处理后，通过电解电镀处理在所述凹部内形成第三金属层。

公开(公告)号：CN101568998B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。