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公开(公告)号：CN105980593A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008034.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/3485 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种能够将表面粗糙度和电阻率降低到规定以下的碳电极膜的形成方法。本发明的一个实施方式的碳电极膜的形成方法包括：将腔内维持在0.3Pa以上1.2Pa以下的氩气气氛。对配置在上述腔内的碳制的靶，施加频率为20kHz以上20MHz以下且功率为0.1kW以上2kW以下的电源，据此，上述靶被溅射，碳粒子堆积在与上述靶相向配置的基板上。
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公开(公告)号：CN103597597B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280028327.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种不需进行成型处理，就能够降低元件的电力消耗及实现精细化的可变电阻元件及其制造方法。本发明的一个实施方式中，可变电阻元件（1）具有下部电极层（3）、上部电极层（5）及氧化物半导体层（4）。氧化物半导体层（4）形成在下部电极层（3）和上部电极层（5）之间。氧化物半导体层（4）具有第1金属氧化物层（41）和第2金属氧化物层（42）。第1金属氧化层（41）与下部电极层（3）欧姆接合。第2金属氧化物层（42）形成在第1金属氧化层（41）和上部电极层（5）之间，并与上部电极层（5）欧姆接合。
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公开(公告)号：CN101960569B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980107160.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。
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公开(公告)号：CN106463608A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN103119697B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180045070.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/4401 , H01L21/02197 , H01L21/02271
Abstract: 为了提供一种能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜的薄膜制造方法及薄膜制造装置，向腔室51内输送虚拟基板S2，并向虚拟基板S2供给虚拟处理用气体，向腔室51内输送产品基板S3，并向产品基板S3供给与虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。作为虚拟处理用气体不使用原料气体，因此能够抑制各金属原料的消耗量，并能够以节省资源及低成本制造再现性良好的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960569A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107160.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。
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公开(公告)号：CN101855724A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115651.8
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , H01L45/00
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。
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公开(公告)号：CN106463608B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN103907187B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380003674.0
申请日：2013-08-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种电阻转变元件(1)，该电阻转变元件(1)具有第1电极(3)、第2电极(6)、第1金属氧化物层(51)、第2金属氧化物层(52)。所述第1金属氧化物层(51)配置在所述第1电极和所述第2电极之间，具有第1电阻率。所述第2金属氧化物层(52)配置在所述第1金属氧化物层和所述第2电极之间，具有高于所述第1电阻率的第2电阻率。所述电流限制层(4)配置在所述第1电极和所述第1金属氧化物层之间，具有高于所述第1电阻率低于所述第2电阻率的第3电阻率。
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公开(公告)号：CN102473633B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080035963.5
申请日：2010-08-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，可对由硅构成的被处理体形成想要的纵横比及形状的沟道或通孔。具有使用含卤化氢气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含卤化氢气体蚀刻硅基板(9)；使用含氟气体的蚀刻工序，其向真空腔(1)内导入含氟气体蚀刻硅基板(9)；保护膜形成工序，其溅镀浮动电极(15)，在硅基板(9)上形成保护膜；保护膜去除工序，其将高频偏压功率施加给基板电极(8)，去除保护膜的一部分，将使用含氟气体的蚀刻工序、保护膜形成工序及保护膜去除工序以此顺序重复进行。
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